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Q8006NH4TP 发布时间 时间:2025/12/26 23:08:42 查看 阅读:21

Q8006NH4TP是一款由Diodes Incorporated生产的高性能、低功耗的准谐振反激式控制器,专为离线式AC-DC电源转换应用设计。该器件适用于高能效要求的电源适配器、充电器和开放式框架电源等应用。Q8006NH4TP采用先进的谷底开关(Valley Switching)技术,在不同负载条件下实现高效能运行,并有效降低开关损耗,提升整体系统效率。该芯片具备多种保护机制,包括过载保护(OLP)、过压保护(OVP)、欠压锁定(UVLO)以及过温保护(OTP),确保在各种异常情况下仍能安全运行。此外,其内置高压启动电路,可加快系统启动速度并减少外部元件数量,从而优化BOM成本与PCB布局面积。Q8006NH4TP封装形式为SOT26-6,具有良好的热性能和可靠性,适合紧凑型电源设计需求。
  该控制器工作于临界导通模式(BCM),通过检测变压器去磁结束时刻(即“谷底”)来触发MOSFET导通,实现近似零电压开关(ZVS),显著降低开关应力和EMI辐射。其内部集成了频率折返功能,可在轻载或空载时自动降低开关频率,进一步提升待机效率,满足国际能源标准如Energy Star和DoE Level VI的要求。Q8006NH4TP还具备软启动功能,防止启动过程中出现电流冲击,延长系统寿命。

参数

品牌:Diodes Incorporated
  类型:准谐振反激式控制器
  封装:SOT26-6
  工作温度范围:-40°C ~ 105°C
  最大供电电压:23V
  启动电流:<10μA
  工作电流:约4.5mA
  反馈输入类型:光耦反馈
  开关频率范围:典型值65kHz,可变频
  控制模式:临界导通模式(BCM)
  保护功能:过压保护(OVP)、过载保护(OLP)、欠压锁定(UVLO)、过温保护(OTP)
  调制方式:谷底开关控制
  内置高压启动电路:是

特性

Q8006NH4TP的核心特性之一是其智能谷底检测机制,能够精确识别变压器去磁过程中的最低点(即电压谷底),并在该时刻开启功率MOSFET,从而实现接近零电压切换(ZVS)。这种工作方式大幅降低了主开关管的开通损耗,提高了转换效率,特别是在中高负载条件下表现尤为突出。与传统的固定频率PWM控制器相比,准谐振控制策略还能有效抑制电磁干扰(EMI),减少对外部滤波元件的需求,有助于简化EMI滤波器设计并降低成本。此外,该芯片采用了自适应频率折返技术,当输出负载减轻时,自动降低开关频率以维持高效率运行,即使在极轻载状态下也能保持出色的能效水平,满足严苛的节能法规要求。
  另一个关键特性是其强大的集成度和系统级保护能力。Q8006NH4TP内置了高压启动电流源,可在上电后直接从高压母线汲取微小电流为VDD电容充电,无需额外的启动电阻或偏置绕组,不仅加快了启动响应速度,也提升了系统的可靠性。同时,芯片具备多级保护机制:过压保护通过监测反馈引脚电压实现快速响应;过载保护则基于时间计数器判断输出是否长时间超负荷运行;过温保护会在芯片结温超过安全阈值时关闭输出驱动信号,防止热损坏。这些保护功能协同工作,确保电源系统在复杂工况下稳定可靠运行。此外,器件还支持抖频(Frequency Shuffling)功能,轻微调制开关频率以分散能量分布,进一步降低传导和辐射EMI峰值。
  在工艺与可靠性方面,Q8006NH4TP采用高精度模拟电路设计,保证各功能模块在宽温度和电压范围内稳定工作。其SOT26-6封装具有优良的散热性能和机械强度,适合自动化贴片生产。芯片内部所有参数均经过激光修调,确保初始精度和批次一致性。对于客户而言,这意味着更少的外围调试工作、更高的良品率和更快的产品上市周期。总体来看,Q8006NH4TP凭借其高效的准谐振控制算法、全面的保护机制和高度集成的设计,成为中小功率开关电源领域的理想选择。

应用

Q8006NH4TP广泛应用于各类中小功率离线式开关电源中,尤其适合对效率、成本和体积有较高要求的应用场景。典型应用包括手机、平板电脑和其他便携设备的USB充电器,特别是5V/1A至5V/2A规格的墙插式适配器。由于其优异的轻载效率表现,该芯片也非常适用于待机功耗敏感的家电辅助电源,例如智能电视、机顶盒、路由器和网络摄像头中的内置SMPS模块。此外,在LED照明驱动电源领域,尤其是非隔离型或单级PFC LED电源方案中,Q8006NH4TP同样展现出良好的适应性。
  工业控制与通信设备中的嵌入式电源系统也是其重要应用方向,例如小型PLC、传感器供电模块、IP电话和POS终端等设备常采用基于Q8006NH4TP的反激拓扑设计。这类应用通常要求电源具备高可靠性、宽输入电压范围和较强的抗干扰能力,而Q8006NH4TP的多重保护机制和稳定的控制性能恰好满足这些需求。另外,在医疗设备附属电源、智能家居网关及物联网网关等对安全性要求较高的场合,该芯片的过压、过流和过温三重保护功能可有效提升系统安全性。得益于其简单的外围电路设计,工程师可以快速完成原型开发和批量生产,缩短产品开发周期。

替代型号

AP8060GN-13
  OB2283MP
  TNY67EG
  LD7576R

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Q8006NH4TP参数

  • 标准包装500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭三端双向可控硅开关
  • 系列-
  • 三端双向可控硅开关类型可控硅 - 无缓冲器
  • 电压 - 断路800V
  • 电流 - 导通状态 (It (RMS))(最大)6A
  • 电压 - 栅极触发器 (Vgt)(最大)1.3V
  • 电流 - 非重复电涌,50、60Hz (Itsm)80A,85A
  • 电流 - 栅极触发电流 (Igt)(最大)35mA
  • 电流 - 维持(Ih)35mA
  • 配置单一
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装TO-263(D2Pak)
  • 包装管件