时间：2025/5/19 8:47:34
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Q6R1CXXG24E 是一款由东芝（Toshiba）生产的高效能、低功耗的 MOSFET 芯片，属于 U-MOS IX 系列。该系列以高可靠性、高效率和小封装为特点，广泛应用于各种电源管理场景中。这款芯片采用 TO-252(DPAK) 封装形式，适合表面贴装工艺，能够有效节省电路板空间。
该器件主要用作开关元件或负载驱动器，在消费电子、工业控制及汽车电子等领域均有广泛应用。其设计注重降低导通电阻，从而减少功率损耗并提高整体系统效率。
型号：Q6R1CXXG24E
类型：N-Channel Enhancement Mode MOSFET
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
持续漏极电流(Id)：16A
导通电阻(Rds(on))：4.8mΩ (典型值，在 Vgs=10V 时)
总功耗(Ptot)：110W
工作温度范围(Ta)：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-252(DPAK)
Q6R1CXXG24E 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，有助于降低导通损耗并提升效率。
2. 高耐压能力，最大漏源电压达到 30V，适用于多种电压等级的应用。
3. 支持大电流运行，额定持续漏极电流高达 16A，确保在高负载条件下稳定工作。
4. 优异的热性能，最高结温可达 175°C，适合高温环境下的应用。
5. 快速开关速度，减少了开关损耗并提升了动态性能。
6. 表面贴装封装，便于自动化生产，同时节省 PCB 空间。
7. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
Q6R1CXXG24E 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC 转换器中的高端或低端开关。
3. 电机驱动电路中的功率级元件。
4. 汽车电子中的负载开关或继电器替代方案。
5. 消费类电子产品中的电池保护电路。
6. 工业设备中的功率转换与控制模块。
其卓越的性能使其成为需要高效率和可靠性的应用的理想选择。
Q6R1CXAQ24E, Q6R1CXXG24D
