Q6025R4 时间：2025/12/26 23:29:41 阅读：15

Q6025R4是一款由ON Semiconductor（安森美）生产的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的Trench沟道技术制造，适用于高效率开关电源应用。该器件封装在TO-220或D2PAK等标准功率封装中，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，广泛应用于AC-DC转换器、DC-DC变换器、电机驱动以及照明电源系统中。Q6025R4的设计旨在提供优异的性能与可靠性，同时降低整体系统功耗，提高能源利用效率。其栅极驱动电压兼容标准逻辑电平，能够直接由控制器驱动，简化了电路设计。此外，该MOSFET具备较高的雪崩能量承受能力，增强了在瞬态过压条件下的鲁棒性，适合用于工业级和消费类电源产品中。

参数

型号：Q6025R4
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压VDS：600V
　　连续漏极电流ID：25A
　　脉冲漏极电流IDM：100A
　　栅源电压VGS：±30V
　　导通电阻RDS(on)：典型值85mΩ（最大105mΩ）@ VGS=10V
　　阈值电压VGS(th)：2.0V~4.0V
　　输入电容Ciss：典型值1900pF
　　输出电容Coss：典型值115pF
　　反向恢复时间trr：典型值38ns
　　最大功耗PD：200W
　　工作结温范围Tj：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220 / D2PAK

特性

Q6025R4采用了安森美的高性能TrenchFET技术，这种结构通过优化沟道密度和电场分布，在保持高击穿电压的同时显著降低了导通电阻RDS(on)，从而减少了导通损耗并提升了整体能效。其典型RDS(on)仅为85mΩ，在600V耐压等级的MOSFET中属于较低水平，有助于实现更小的温升和更高的功率密度。
　　该器件具有快速开关响应能力，输入电容Ciss约为1900pF，输出电容Coss为115pF，配合较短的反向恢复时间trr（典型38ns），使其非常适合高频开关应用如PFC（功率因数校正）电路和SMPS（开关模式电源）。低电容特性还减少了驱动损耗，并降低了电磁干扰（EMI），有利于满足严格的EMC认证要求。
　　Q6025R4具备优良的热性能，TO-220封装可有效传导热量至散热器，最大功耗可达200W，确保在高负载条件下稳定运行。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C）使其可在严苛环境温度下使用，适用于工业控制、户外设备和高温工作场景。
　　该MOSFET还内置了一定程度的雪崩能量保护能力，能够在突发过压或感性负载切换时承受一定的应力，提高了系统的可靠性和寿命。此外，±30V的栅源电压容限增强了对栅极驱动噪声的抗扰度，防止误触发或器件损坏。
　　总体而言，Q6025R4凭借其低导通电阻、高耐压、优良热性能和稳健的电气特性，成为中高端功率转换系统中的理想选择，尤其适用于追求高效节能和长期稳定性的电源设计方案。

应用

Q6025R4广泛应用于各类中高功率开关电源系统中。它常被用作主开关管或PFC升压开关管，在AC-DC适配器、服务器电源、通信电源模块中发挥关键作用。由于其600V高耐压和25A额定电流的能力，特别适用于通用输入（85VAC~265VAC）的离线式反激、正激或LLC谐振变换器拓扑结构。
　　在LED照明驱动电源领域，Q6025R4可用于恒流输出的隔离型电源设计，提供高效的能量转换并支持长寿命运行。其低导通损耗有助于减少发热，提升灯具的整体光效和可靠性。
　　此外，该器件也适用于太阳能微型逆变器、小型UPS不间断电源、电动工具充电器以及工业电机控制中的H桥或半桥驱动电路。在这些应用中，Q6025R4不仅能承受反复的开关应力，还能在瞬态过载或负载突变情况下保持稳定工作。
　　得益于其良好的EMI表现和高效率特性，Q6025R4符合多项国际能效标准，如Energy Star、DoE Level VI和EuP Lot 6，因此被广泛用于需要绿色认证的产品设计中。
　　对于工程师来说，Q6025R4易于集成到现有电源架构中，无需复杂的外围补偿电路，且支持多种常见封装形式（如TO-220和D2PAK），便于PCB布局与散热管理，是现代高效能电源系统中值得信赖的核心功率器件之一。