Q6006DH3 时间：2025/9/14 8:33:09 阅读：3

Q6006DH3 是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于电源管理、开关电源（SMPS）和DC-DC转换器等应用中。该器件采用了先进的Trench沟槽技术，提供了更低的导通电阻（Rds(on)）和更高的效率，有助于减少系统功耗并提升整体性能。Q6006DH3采用TO-252（DPAK）封装，具有良好的热性能和可靠性。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（Id）：6A
　　漏极-源极电压（Vds）：60V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.18Ω @ Vgs=10V
　　功率耗散（Pd）：50W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

Q6006DH3采用了先进的Trench沟槽工艺技术，显著降低了导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗，提高了系统效率。
　　其Rds(on)最大值为0.18Ω，在Vgs=10V条件下，确保了在中高功率应用中的优异性能。
　　该MOSFET支持高达6A的连续漏极电流和60V的漏源电压，适用于多种中等功率的电源转换和负载开关应用。
　　器件具有较高的栅极电压耐受能力（±20V），增强了在复杂工作环境下的稳定性与可靠性。
　　TO-252（DPAK）封装不仅提供了良好的散热性能，还便于在PCB上安装和焊接，适合表面贴装工艺。
　　Q6006DH3的工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于工业级和车载电子等对温度要求较高的应用环境。
　　此外，该器件符合RoHS环保标准，无铅封装设计，满足现代电子产品对环保法规的要求。

应用

Q6006DH3被广泛应用于各种电源管理领域，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、负载开关、马达控制器和电池管理系统等。
　　由于其低导通电阻和高电流能力，Q6006DH3特别适用于需要高效能和紧凑设计的电源模块和适配器。
　　此外，该器件也适用于工业自动化设备、通信电源、LED照明驱动电路以及汽车电子系统等应用场景。