您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > Q6004FT1

Q6004FT1 发布时间 时间:2025/7/22 10:02:34 查看 阅读:5

Q6004FT1是一款由东芝(Toshiba)公司生产的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)器件,广泛应用于电源管理和开关电路中。该型号属于Trench MOSFET系列,采用先进的沟槽技术,具有较低的导通电阻和较高的开关性能,适合用于高效能、高密度的电源转换器、DC-DC转换器、同步整流器等应用。Q6004FT1封装为SOP(小外形封装),便于在PCB上安装和集成。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏极电流(ID):4A
  漏极-源极击穿电压(VDS):60V
  导通电阻(RDS(on)):最大30mΩ(在VGS=10V时)
  栅极阈值电压(VGS(th)):1V至2.5V
  功耗(PD):2W
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装类型:SOP

特性

Q6004FT1的主要特性之一是其低导通电阻,这有助于减少导通损耗并提高电源转换效率。在高电流应用中,低RDS(on)可以显著降低功率损耗,从而提高整体系统性能。
  其次,该MOSFET采用沟槽技术,使得器件在相同尺寸下具有更高的电流承载能力,同时减少了开关损耗,提高了器件的可靠性。
  此外,Q6004FT1具有较高的热稳定性和良好的热阻性能,能够在高温环境下稳定工作,适用于需要高可靠性的工业和汽车电子应用。
  该器件的栅极阈值电压范围较宽,使其在不同驱动条件下都能稳定工作,提高了设计的灵活性。
  最后,Q6004FT1的SOP封装不仅节省空间,还具备良好的散热性能,适用于高密度电路板设计。

应用

Q6004FT1主要应用于各类电源管理系统,包括DC-DC转换器、AC-DC适配器、同步整流器以及负载开关等电路。在这些应用中,Q6004FT1的低导通电阻和高开关速度能够显著提高系统的效率和稳定性。
  在汽车电子领域,Q6004FT1可用于车载充电器、电动助力转向系统(EPS)以及电池管理系统(BMS)等关键部件。
  此外,该器件还可用于工业自动化设备、通信设备、消费类电子产品以及智能家电等,作为高效能开关元件。

替代型号

Q6004FT1的替代型号包括SiS432DN-T1-GE3、IRLML6401TRPBF等,这些型号在性能参数和封装上与Q6004FT1相近,可在具体应用中进行替换评估。

Q6004FT1资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载