类型：光耦合器
　　输入电流（IF）：最大60mA
　　输出电压（VCE）：最大80V
　　输出电流（IC）：最大150mA
　　隔离电压：5000Vrms
　　响应时间：10μs（典型值）
　　工作温度范围：-55°C至+125°C
　　封装类型：DIP-4

Q58312I-3S2光耦合器采用了红外发光二极管（LED）和光敏晶体管组成，能够实现高效的光电转换。其主要特性包括高隔离电压、低输入驱动电流、高抗噪能力以及宽工作温度范围。该器件的响应时间较快，适用于需要快速开关的应用场景。此外，Q58312I-3S2具有较高的可靠性和耐用性，能够在恶劣的工业环境中稳定工作。由于其电气隔离功能，该光耦合器能够有效保护后端电路免受高压或瞬态电压的影响，提高系统的安全性和稳定性。Q58312I-3S2的设计使其在各种控制电路中具有广泛的应用前景，特别是在需要隔离和信号传输的场合。
　　Q58312I-3S2的封装形式为DIP-4，便于在PCB上安装和焊接。其紧凑的设计和良好的电气性能使其成为工业自动化设备、电源管理系统、通信接口和医疗设备中的理想选择。此外，该光耦合器还具有较低的功耗，能够在节能应用中发挥作用。由于其高性能和可靠性，Q58312I-3S2在工业控制领域得到了广泛的认可和应用。

Q58312I-3S2光耦合器常用于需要电气隔离的电路设计中，如工业控制系统中的信号隔离、电源管理模块的反馈控制、通信设备的接口隔离等。此外，它还可用于交流电源检测、继电器驱动、电机控制以及医疗设备中的安全隔离电路。在这些应用中，Q58312I-3S2能够有效防止高压干扰，保护后端电路的安全和稳定运行。

TLP521-4, PC817, EL817, HCPL-2630