Q5500I-1M-T 时间：2025/8/12 15:19:48 阅读：24

Q5500I-1M-T 是一款由 IXYS 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源转换、电机控制、开关电源（SMPS）以及其他需要高效、高电流开关能力的场合。该器件采用 TO-263（D2PAK）封装，具有良好的热管理和高功率密度，适合于表面贴装应用。Q5500I-1M-T 的设计使其能够在高电压和高电流条件下可靠运行，适用于工业电源、DC-DC 转换器、电池充电器等场景。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：500V
　　最大漏极电流（ID）：80A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.18Ω（典型值）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2.1V ~ 4.0V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-263（D2PAK）

特性

Q5500I-1M-T 具有多个优异的电气和热性能特性，适用于高功率和高效率的应用场景。首先，该器件的最大漏源电压为 500V，最大漏极电流可达 80A，能够承受较高的电压和电流应力，适用于中高功率电源系统。其导通电阻（RDS(on)）典型值为 0.18Ω，能够在导通状态下保持较低的功率损耗，提高系统的整体效率。
　　该 MOSFET 采用了先进的平面技术，具有良好的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态电压冲击下保持稳定运行，适用于负载突变频繁的应用环境。此外，其栅极阈值电压范围为 2.1V 至 4.0V，适配多种驱动电路设计，便于与常见的 PWM 控制器或微处理器配合使用。
　　TO-263（D2PAK）封装提供了良好的散热性能，确保器件在高负载条件下仍能保持较低的工作温度。这种封装形式也支持表面贴装工艺，便于自动化生产和系统集成。Q5500I-1M-T 的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适应广泛的工业环境，包括高温和低温应用场合。
　　此外，该器件具有低开关损耗、高可靠性和长寿命等特点，适用于要求高稳定性和高效率的电力电子系统。

应用

Q5500I-1M-T 主要应用于高功率电源转换系统，如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、AC-DC 整流器、电池充电器和逆变器。其高电流能力和良好的导通特性使其非常适合用于电机控制、电动工具、UPS（不间断电源）系统以及工业自动化设备中的功率开关模块。此外，该 MOSFET 也可用于太阳能逆变器、电动汽车充电设备和工业照明系统等高可靠性应用场景。