时间：2025/8/12 12:05:21
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Q5190C-ISI 是一颗由ONSEMI（安森美半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用先进的Trench沟槽技术，具备低导通电阻（RDS(on)）和高功率处理能力。该器件广泛用于需要高效能开关和低损耗的电源管理系统中。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：190A（最大值）
漏源击穿电压（VDS）：60V
栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：2.9mΩ（典型值，VGS=10V）
功率耗散（PD）：320W（最大值）
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装形式：D2PAK（TO-263）
Q5190C-ISI 采用先进的沟槽技术，显著降低了导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通损耗并提高了整体效率。该器件具有优异的热稳定性和耐久性，适用于高功率密度设计。此外，Q5190C-ISI 具备高雪崩能量耐受能力，确保在极端条件下的稳定运行。其低栅极电荷（Qg）特性，使其在高频开关应用中表现优异，减少了开关损耗。器件的封装形式为D2PAK，具有良好的散热性能，适用于表面贴装工艺。
Q5190C-ISI 的性能使其能够在电源管理、电机控制、电池管理系统以及工业自动化等严苛环境中稳定工作。该MOSFET的高可靠性设计，使其成为高性能DC-DC转换器、同步整流器和负载开关的理想选择。
Q5190C-ISI 主要应用于电源管理系统、DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机控制电路以及工业自动化设备中的高功率开关场合。此外，它也适用于需要高效率和低损耗的汽车电子系统，如电池管理系统（BMS）和电动车辆（EV）充电模块。
SiS6682ADN-T1-GE3, IRF1404ZPBF, FDP6680
