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Q5190C-1SI 发布时间 时间:2025/8/12 17:57:46 查看 阅读:6

Q5190C-1SI 是一款由STMicroelectronics(意法半导体)推出的功率晶体管,属于双极型晶体管(BJT)类别。该器件主要用于高功率放大和开关应用,具有较高的电流承载能力和优良的热稳定性。Q5190C-1SI 通常采用TO-220或类似的封装形式,便于在各种电子设备中进行安装和散热管理。该晶体管的性能参数使其非常适合用于电源管理、电机控制、工业自动化以及各种需要高可靠性和高效率的电路设计。

参数

类型:NPN双极型晶体管
  最大集电极电流(Ic):15A
  最大集电极-发射极电压(Vce):100V
  最大集电极-基极电压(Vcb):100V
  最大功耗(Ptot):125W
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  增益带宽积(fT):4MHz
  封装类型:TO-220

特性

Q5190C-1SI 晶体管具有多项优良特性,适用于各种高功率和高可靠性应用。首先,其最大集电极电流为15A,使得该晶体管能够处理较大的负载电流,适合用于高功率放大器和开关电路。其次,该晶体管的最大集电极-发射极电压为100V,使其能够在较高的电压条件下稳定工作,避免因电压过高而造成器件损坏。此外,Q5190C-1SI 的最大功耗为125W,结合其优良的热稳定性,能够在高功率条件下保持良好的工作性能,减少过热导致的性能下降或损坏。
  该晶体管的增益带宽积为4MHz,表明其在中频范围内具有良好的放大性能,适合用于音频放大器、功率放大器以及其他需要中高频信号处理的电路。Q5190C-1SI 的工作温度范围为-55°C 至 +150°C,使其能够在极端温度条件下稳定运行,适用于工业控制、汽车电子、电源转换等对环境温度要求较高的场合。
  该器件采用TO-220封装形式,具备良好的散热性能和机械稳定性。TO-220封装广泛应用于功率电子器件中,便于与散热片配合使用,从而提高整体系统的散热效率。此外,TO-220封装也便于手工焊接和自动化装配,提高了在电路板上的安装便利性。
  Q5190C-1SI 的设计确保了其在各种工作条件下的稳定性和可靠性。其高耐压特性、高电流承载能力和良好的散热性能,使其成为许多工业和消费类电子产品中不可或缺的组件。该晶体管广泛用于电源管理、电机控制、逆变器、UPS系统、照明控制以及各种功率电子设备。

应用

Q5190C-1SI 主要应用于高功率放大器、开关电源、电机控制、逆变器、不间断电源(UPS)、照明控制系统、工业自动化设备、音频功率放大器等领域。该晶体管的高电流和高电压特性使其特别适合需要大功率处理能力的电路设计。

替代型号

TIP142, BDW94C, MJ21194

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