时间：2025/8/12 19:04:59
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Q5180C-1SI是一款由Qorvo公司生产的高性能射频(RF)功率晶体管，广泛用于无线通信系统、基站和工业设备中的射频放大器。该器件基于先进的LDMOS技术，提供高效率、高线性和优异的热稳定性，适用于高频段的功率放大应用。Q5180C-1SI的封装设计使其便于集成，并具有良好的散热性能，确保在高功率工作条件下仍能稳定运行。
类型: 射频功率晶体管
晶体管类型: N沟道LDMOS
封装类型: TO-247
工作频率范围: 800 MHz - 1 GHz
输出功率: 180 W (典型值)
增益: 14 dB (典型值)
效率: 65% (典型值)
工作电压: 28 V
输入阻抗: 50 Ω
工作温度范围: -40°C 至 +150°C
存储温度范围: -65°C 至 +150°C
Q5180C-1SI作为一款LDMOS射频功率晶体管，在通信和工业应用中表现出色。其高输出功率能力使其成为基站和发射设备中功率放大器的理想选择。该器件具有优异的线性度和效率，能够满足现代通信系统对高数据速率和低失真的要求。此外，Q5180C-1SI的热稳定性和可靠性设计确保其在恶劣环境下也能稳定运行，延长了设备的使用寿命。
该晶体管的封装形式为TO-247，这种封装不仅提供了良好的散热性能，还简化了与外部电路的连接。Q5180C-1SI在800 MHz至1 GHz的频率范围内表现最佳，适用于多种无线通信标准，如GSM、WCDMA和LTE。其高增益和高效率特性有助于减少系统的整体功耗并提高信号传输质量。同时，Q5180C-1SI的输入阻抗匹配为50 Ω，方便与射频前端电路集成，减少了外部匹配网络的复杂度。在实际应用中，Q5180C-1SI可以显著提高射频放大器的性能，并降低系统的维护成本。
Q5180C-1SI广泛应用于无线通信基础设施，如蜂窝基站、中继器和分布式天线系统(DAS)。它也适用于工业和医疗设备中的射频功率放大器，如射频加热、等离子体生成和无损检测设备。此外，该器件还可用于测试设备和测量仪器中的射频信号源，以提供高功率输出和稳定的性能。
Q5180C-1STB, Q5180CH-1SIC, Q5180C-1SC
