型号：Q4015N5RP
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：1500 V
　　漏极电流（ID）：4 A（连续）
　　脉冲漏极电流（IDM）：16 A
　　栅源电压（VGS）：±30 V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值3.0 Ω @ VGS = 15 V
　　阈值电压（VGS(th)）：4.0 ~ 7.0 V
　　输入电容（Ciss）：约1100 pF @ VDS = 25 V
　　输出电容（Coss）：约180 pF @ VDS = 25 V
　　反向恢复时间（trr）：约50 ns
　　工作结温范围（Tj）：-55 °C 至 +150 °C
　　封装形式：TO-247

Q4015N5RP具备卓越的高压阻断能力，额定漏源电压高达1500V，使其非常适合应用于需要承受瞬态高压或操作于高母线电压环境中的电力电子系统。这一特性确保了器件在诸如工业电源、高压直流输电接口和太阳能逆变器等场景下的安全可靠运行。其设计优化了内部单元布局与掺杂工艺，有效抑制了局部电场集中现象，提升了击穿电压的稳定性与一致性。该MOSFET采用了先进的平面垂直结构技术，在保证高耐压的同时实现了合理的导通电阻水平。尽管作为高耐压器件，其RDS(on)仍能控制在3.0Ω左右（在VGS=15V时），显著降低了在中小电流应用中的导通损耗，从而提高系统整体效率。此外，器件具有良好的温度系数表现，随着结温上升，导通电阻的增长相对平缓，有利于多管并联使用时的电流均衡。Q4015N5RP的栅极结构经过特殊设计，具备较强的抗dv/dt干扰能力，并支持±30V的栅源电压耐受范围，增强了在噪声环境下的可靠性。其输入电容和输出电容参数适中，配合快速体二极管（trr≈50ns），可在高频开关应用中实现较快的开关速度，减少开关过渡时间带来的能量损耗。该器件还通过了严格的雪崩测试，具备一定的单脉冲和重复雪崩能量承受能力，提升了在感性负载切换过程中的生存能力。TO-247封装提供了优良的散热性能和机械强度，便于安装在散热器上，适用于中等功率等级的设计。
　　此外，Q4015N5RP在制造过程中遵循严格的品质控制流程，确保批次间参数的一致性和长期使用的稳定性。其符合RoHS环保标准，适用于对环境要求较高的工业和医疗设备。由于其高电压特性和稳健的电气性能，该器件常被用于替代传统双极型晶体管或IGBT在某些特定拓扑中，以实现更高的开关频率和更低的驱动复杂度。总体而言，Q4015N5RP是一款面向高可靠性、高电压应用场景的高性能MOSFET，兼顾了耐压、效率与耐用性，是中等功率高压开关电路的理想选择之一。

Q4015N5RP广泛应用于多种高电压、中等电流的电力电子系统中。典型应用包括高压开关电源（SMPS），特别是在AC-DC和DC-DC转换器中作为主开关元件，适用于电信电源、工业电源模块和医疗设备供电单元。在太阳能光伏逆变器中，该器件可用于直流侧的开关控制或辅助电源部分，凭借其1500V的耐压能力，能够适应高电压光伏阵列输出的需求。此外，它也常见于不间断电源（UPS）系统中，用于电池管理电路或逆变桥臂的驱动，提供稳定的开关性能和良好的热响应。在电机驱动领域，Q4015N5RP可用于中小型交流/直流电机的斩波控制或制动电路，尤其适用于需要高隔离电压的工业自动化设备。感应加热设备如电磁炉、小型熔炼装置也常采用此类高压MOSFET进行谐振开关操作，利用其快速开关特性和低栅极电荷来提升系统效率。另外，该器件还可用于高压脉冲发生器、激光驱动电源、X射线发生器等特种电源系统中，承担高速通断任务。由于其具备较强的雪崩耐量和热稳定性，Q4015N5RP在存在感性负载突变或电压瞬变的恶劣工况下仍能保持可靠运行，因此也被用于工业电焊机、电磁阀驱动和电容放电点火系统等应用。其TO-247封装便于集成到现有的散热结构中，适合中等功率密度设计，广泛服务于工业控制、能源转换和高端消费电子等领域。

IRF460
　　STGF15NC15K
　　FDP15N150ANTD
　　HGTG15N150BND