Q4015N5 时间：2025/9/14 7:25:11 阅读：11

Q4015N5是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制以及负载开关等高功率密度场景。该器件采用了先进的制造工艺，具备优异的导通和开关性能，同时在高温环境下也能保持稳定的工作状态。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：150V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）@25℃：26A
　　导通电阻（RDS(on)）：55mΩ @ VGS=10V
　　工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
　　封装类型：TO-220、D2PAK等

特性

Q4015N5具备低导通电阻特性，这使其在高电流应用中能够显著降低导通损耗，提高系统效率。
　　该器件的栅极驱动电压范围宽，适用于多种驱动电路设计，且具备良好的热稳定性。
　　其封装设计优化了散热性能，使得在高功耗应用场景下仍能保持较低的结温，延长器件寿命。
　　Q4015N5的快速开关特性有助于减少开关损耗，提高整体系统的能效表现。
　　此外，该MOSFET具备良好的抗雪崩能力和过载耐受性，适用于工业级严苛环境。

应用

Q4015N5广泛应用于各类功率电子设备中，如开关电源（SMPS）、同步整流器、DC-DC转换器、电机驱动器、负载开关、电池管理系统（BMS）以及各类工业自动化控制设备。
　　由于其高耐压、低导通电阻和良好的热稳定性，Q4015N5也常用于汽车电子系统，如车载充电器、起停系统和电动助力转向系统。
　　在新能源领域，该器件也适用于太阳能逆变器、储能系统以及UPS不间断电源等场景。