Q4008LTH 时间：2025/12/26 22:04:16 阅读：15

Q4008LTH是一款由Diodes Incorporated生产的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）阵列器件，采用双N沟道MOSFET结构，封装形式为TSSOP-8。该器件专为高效率、低电压开关应用设计，广泛用于电源管理、负载开关、DC-DC转换器以及电机驱动等场景。Q4008LTH集成了两个独立的N沟道MOSFET，每个MOSFET都具备较低的导通电阻（RDS(on)），有助于减少功率损耗并提升系统整体能效。其栅极阈值电压较低，允许使用3.3V或5V逻辑电平直接驱动，兼容大多数微控制器和数字信号处理器的输出信号，无需额外的电平转换电路。此外，该器件具有良好的热稳定性和可靠性，能够在较宽的温度范围内稳定工作，适用于工业控制、消费电子及便携式设备等多种应用场景。

参数

型号：Q4008LTH
　　制造商：Diodes Incorporated
　　器件类型：双N沟道MOSFET阵列
　　封装类型：TSSOP-8
　　通道数：2
　　漏源电压(VDS)：30V
　　连续漏极电流(ID)：1.9A（单通道）
　　脉冲漏极电流(ID_pulse)：7.6A
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　导通电阻(RDS(on))：32mΩ（@ VGS = 10V, ID = 1.9A）
　　栅极阈值电压(VGS(th))：1.0V ~ 2.3V
　　输入电容(Ciss)：320pF（@ VDS = 15V）
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围(Tstg)：-55°C ~ +150°C

特性

Q4008LTH的两个N沟道MOSFET具有优异的开关性能和低导通电阻特性，这使得它在中等功率开关应用中表现出色。其32mΩ的低RDS(on)显著降低了导通状态下的功率损耗，从而减少了发热，提升了系统的能量转换效率。该器件在VGS=10V时可实现完全导通，同时在VGS≥3.3V时也能有效开启，支持现代低压逻辑控制接口的直接驱动，简化了外围电路设计。
　　器件内部结构优化了热分布，结合TSSOP-8封装良好的散热能力，确保在持续负载条件下仍能保持稳定的电气性能。此外，Q4008LTH具备较高的抗噪能力和良好的dv/dt抗扰度，能够有效防止误触发，提高系统运行的稳定性。其栅极氧化层经过严格工艺控制，具备较强的耐压能力，可承受±20V的栅源电压，增强了对静电放电（ESD）和瞬态过压的耐受性。
　　在制造工艺方面，Q4008LTH采用先进的沟槽型MOSFET技术，提高了单位面积内的载流子迁移率，进一步降低导通电阻并提升电流密度。该器件符合RoHS环保标准，无铅且不含卤素，适用于对环保要求较高的电子产品生产。同时，其小型化的TSSOP-8封装节省了PCB布局空间，特别适合高密度集成的便携式设备应用。可靠的互连技术和严格的出厂测试流程保证了产品的一致性和长期使用的可靠性。

应用

Q4008LTH常用于各类需要高效开关控制的电子系统中。典型应用包括便携式电池供电设备中的负载开关，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，用于控制不同功能模块的电源通断，以实现节能和延长续航时间。
　　在电源管理系统中，该器件可用于同步整流型DC-DC降压或升压转换器，作为低边开关使用，替代传统二极管以减少压降和功耗。此外，在电机驱动电路中，Q4008LTH可用于驱动小型直流电机或步进电机的H桥电路，提供快速响应和精确控制。
　　工业控制领域中，该器件适用于PLC输入/输出模块、传感器电源切换、继电器驱动等场合，凭借其高可靠性和宽温工作范围，可在恶劣环境下稳定运行。在消费类电子产品如电视、机顶盒、路由器等设备中，Q4008LTH也常被用作多路电源选择开关或热插拔保护电路的核心元件。
　　由于其双通道独立设计，Q4008LTH还可用于信号路径切换、LED背光驱动或多路复用控制等模拟开关应用，展现出良好的通用性和灵活性。