型号：Q4004D4RP
　　制造商：Diodes Incorporated
　　器件类型：P沟道 MOSFET 阵列（四通道）
　　封装类型：PowerDI5060-6
　　通道数：4
　　漏源电压（VDS）：-40V
　　连续漏极电流（ID）：-4A（单通道）
　　脉冲漏极电流（IDM）：-16A
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻 RDS(on)：40mΩ（@ VGS = -10V, ID = -2A）
　　导通电阻 RDS(on)：50mΩ（@ VGS = -4.5V, ID = -2A）
　　导通电阻 RDS(on)：60mΩ（@ VGS = -2.5V, ID = -1A）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：-1.0V ~ -2.0V
　　输入电容（Ciss）：930pF（@ VDS = -10V）
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　热阻结到环境（RθJA）：60°C/W
　　热阻结到外壳（RθJC）：20°C/W

Q4004D4RP的核心特性之一是其集成化的四通道P沟道MOSFET结构，使得它在多路电源控制应用中具有高度集成的优势。每个MOSFET都经过优化，确保在低栅极驱动电压下仍能保持较低的导通电阻，从而支持现代低压逻辑系统的直接驱动能力。例如，在VGS = -4.5V时，RDS(on)仅为50mΩ，这显著降低了导通损耗，提高了系统效率。这种性能对于电池供电设备尤为重要，因为它有助于延长续航时间并减少发热。
　　另一个关键特性是其优异的热性能。PowerDI5060-6封装不仅体积小巧，还具备出色的散热能力，其热阻结到外壳（RθJC）仅为20°C/W，允许器件在高负载条件下持续稳定运行。同时，该封装与标准表面贴装工艺兼容，便于自动化生产，提升了制造效率。
　　Q4004D4RP还具备良好的电气隔离性能，四个MOSFET之间相互独立，避免了通道间的干扰，适用于需要独立控制多个负载的应用场景。其负向栅极阈值电压范围（-1.0V至-2.0V）确保了器件在不同工作条件下的可靠开启与关断，防止误触发。
　　此外，该器件对静电放电（ESD）具有较强的防护能力，HBM模型下的额定值可达±2000V，增强了在实际操作和装配过程中的鲁棒性。所有这些特性共同使Q4004D4RP成为高性能电源管理解决方案中的理想选择，特别是在空间受限但对效率和可靠性要求较高的应用中表现出色。

Q4004D4RP广泛应用于多种需要高效电源控制和负载切换的电子系统中。在便携式消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，该器件常用于电池电源路径管理，实现主电池与备用电源之间的无缝切换，同时支持充电和放电路径的独立控制。其低导通电阻和低压驱动特性使其非常适合用于USB OTG（On-The-Go）电源开关，能够有效管理外设供电，防止过流和短路故障。
　　在笔记本电脑和超极本中，Q4004D4RP可用于多路DC-DC转换器的同步整流或作为高端开关，配合控制器实现高效的电压调节。此外，在热插拔电路设计中，该器件可用于控制背板或扩展槽的电源接入，确保在插入或拔出模块时不会产生浪涌电流，保护系统免受损坏。
　　工业控制系统中，Q4004D4RP可用于PLC（可编程逻辑控制器）的I/O模块电源管理，提供稳定的电源分配和快速响应的开关控制。在通信设备中，如路由器和交换机，该器件可用于PoE（Power over Ethernet）供电端口的后级电源开关，实现远程设备的按需供电。
　　此外，Q4004D4RP还可用于LED驱动电路中的电流路径控制，尤其是在需要调光或多模式切换的应用中。其快速的开关速度和低寄生参数有助于减少开关损耗，提高动态响应性能。总体而言，任何需要多通道、低功耗、高集成度P沟道MOSFET的应用都可以考虑使用Q4004D4RP作为核心开关元件。

DMG2304UQ-7
　　SI2304BDS-T1-E3
　　FDC630P