制造商：Qorvo
　　产品类别：射频晶体管
　　技术类型：GaN on SiC (氮化镓/碳化硅)
　　工作频率范围：2.3 GHz - 2.7 GHz
　　输出功率：1280W（脉冲模式）
　　增益：22 dB 典型值
　　漏极电压（Vds）：50 V
　　栅极电压（Vgs）：-3.5 V 至 0 V 可调
　　封装类型：Flanged Ceramic Package
　　输入匹配网络：内部集成
　　输出匹配网络：外部匹配
　　热阻（Rth）：0.15°C/W
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C

Q22FA12800594 采用先进的 GaN on SiC 工艺制造，使其在高频高功率应用中表现出卓越的性能。其核心优势在于极高的功率密度和能效比，相较于传统的 LDMOS 器件，在相同尺寸下可提供更高的输出功率和更宽的带宽。该器件在 2.3 GHz 到 2.7 GHz 频率范围内能够稳定输出高达 1280W 的脉冲功率，适用于高要求的雷达发射系统。其典型增益为 22dB，减少了前级驱动的需求复杂度，提升了整体系统的集成度。
　　该器件具有优异的热管理能力，得益于碳化硅衬底的低热阻特性（仅为 0.15°C/W），能够在高功率持续工作时有效散热，避免因过热导致的性能下降或器件损坏。此外，陶瓷金属封装不仅提供了出色的机械稳定性，还增强了对湿气、腐蚀和电磁干扰的防护能力，确保在户外或军用环境中长期可靠运行。
　　Q22FA12800594 支持多种偏置配置，通过调节栅极电压（Vgs）可以灵活控制静态工作点，适应 A 类、AB 类甚至 B 类放大器的设计需求。其输入端内置匹配网络，简化了电路设计流程，而输出端则采用外部匹配方式，允许用户根据具体应用场景优化负载阻抗，以实现最大功率传输或最佳线性度。该器件还具备良好的互调失真（IMD）表现，适用于多载波通信系统中对信号保真度要求较高的场合。
　　由于其高击穿电压（50V 漏极供电）和强大的电流承载能力，Q22FA12800594 能够承受较大的瞬态电压波动和驻波比（VSWR）失配情况，提高了系统鲁棒性。它符合 MIL-STD 标准的可靠性测试规范，适用于航空航天、国防电子等高可靠性领域。同时，该器件可通过并联或多级级联方式构建更高功率的放大链路，满足不同层级的功率扩展需求。

主要应用于地面与机载雷达系统、战术通信基站、电子对抗（ECM）设备、卫星通信上行链路功率放大器、公共安全与应急通信网络、高功率工业加热射频源等领域。也适用于需要大功率脉冲输出的科学实验装置，如粒子加速器中的射频激励模块。

QPD1025, MHT1006SR2