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Q22FA1280019000 发布时间 时间:2025/4/29 11:34:58 查看 阅读:3

Q22FA1280019000 是一款高性能的 NAND Flash 存储芯片,采用先进的制程工艺制造,具有大容量存储和高速数据传输的特点。该芯片广泛应用于嵌入式系统、工业设备以及消费类电子产品中,提供可靠的非易失性存储解决方案。
  这款芯片支持多种接口协议,并具备低功耗特性,使其在长时间运行或待机状态下仍能保持高效表现。

参数

存储容量:128Gb
  接口类型:Toggle Mode 2.0
  工作电压Vcc:1.8V ± 0.1V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装形式:BGA 169 球
  数据传输速率:最高可达 400MB/s
  擦写寿命:3000 次(典型值)
  页面大小:16KB
  块大小:512KB
  待机功耗:小于 50uA

特性

Q22FA1280019000 具有以下主要特性:
  1. 大容量存储:支持高达 128Gb 的存储空间,适合需要高密度存储的应用场景。
  2. 高速数据传输:采用 Toggle Mode 2.0 接口,数据传输速率可达 400MB/s,满足实时数据处理需求。
  3. 低功耗设计:在待机模式下功耗极低,延长电池供电设备的续航时间。
  4. 可靠性高:具备 ECC(错误校验和纠正)功能,能够有效减少数据读取错误。
  5. 广泛的工作温度范围:能够在 -40°C 至 +85°C 的环境下稳定工作,适应各种恶劣环境。
  6. 小型化封装:采用 BGA 169 球封装,节省 PCB 空间,便于系统集成。
  7. 长擦写寿命:典型的擦写寿命为 3000 次,确保长期使用的可靠性。

应用

Q22FA1280019000 主要应用于以下领域:
  1. 嵌入式系统:如路由器、交换机等网络设备中的固件存储。
  2. 工业控制:用于数据记录仪、PLC 控制器等工业设备的程序和数据存储。
  3. 消费类电子:如数码相机、智能电视、平板电脑等产品的文件系统存储。
  4. 汽车电子:适用于导航系统、行车记录仪等车载设备的数据存储。
  5. 物联网设备:为智能家居、可穿戴设备等提供高效的存储解决方案。

替代型号

Q22FA0640019000
  Q22FA2560019000

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