型号：Q2006N4TP
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDSS)：60V
　　漏极电流(ID)：180A（脉冲）
　　连续漏极电流(ID)：90A
　　导通电阻(RDS(on))：2.3mΩ（最大值，@10V VGS）
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　功耗(Pd)：250W
　　工作结温范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：PowerSSO-36
　　导通阈值电压(VGS(th))：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容(Ciss)：12000pF（典型值，@25V VDS）
　　反向恢复时间(trr)：30ns（典型值）
　　栅极电荷(Qg)：180nC（典型值，@10V VGS）

Q2006N4TP采用了安森美先进的TrenchFET技术，这种结构通过优化沟道密度和减少寄生电阻，显著降低了导通电阻RDS(on)，从而在大电流应用中大幅减少了导通损耗。其典型的RDS(on)仅为2.3mΩ，在同类60V N沟道MOSFET中处于领先水平，有助于提升电源系统的整体效率。该器件的高电流承载能力（连续90A，脉冲180A）使其非常适合用于高功率密度设计，例如服务器电源、电动工具和电动车充电模块。此外，TrenchFET技术还改善了热分布特性，使器件在长时间高负载运行下仍能保持较低的温升，增强了系统的可靠性和寿命。
　　Q2006N4TP具备出色的开关性能，其输入电容Ciss约为12000pF，栅极电荷Qg为180nC（@10V），这些参数确保了在高频开关应用中能够实现快速响应和较低的驱动功率需求。同时，其反向恢复时间trr仅为30ns，意味着体二极管具有较快的恢复速度，减少了开关过程中的能量损耗和电磁干扰（EMI）。这对于同步整流、半桥或全桥拓扑结构尤为重要，有助于提升转换效率并简化散热设计。
　　该器件采用PowerSSO-36封装，不仅体积小巧，而且底部带有裸露焊盘，可直接焊接至PCB的散热区域，极大提升了热传导效率。这种封装设计允许通过PCB进行有效散热，避免额外使用复杂的散热片，从而节省空间和成本。此外，Q2006N4TP支持宽范围的工作结温（-55°C至+175°C），可在极端温度环境下稳定工作，适用于工业控制、汽车电子和户外设备等严苛应用场景。其栅源电压额定值为±20V，具备较强的抗过压能力，配合适当的驱动电路可防止因电压尖峰导致的栅极击穿。整体而言，Q2006N4TP以其高性能、高可靠性和紧凑封装，成为现代高效能电源系统中理想的功率开关元件。

Q2006N4TP广泛应用于多种高效率、高功率密度的电力电子系统中。其主要应用场景包括直流-直流（DC-DC）转换器，特别是在多相降压变换器中作为下管或上管使用，能够有效降低导通损耗并提升转换效率。在服务器电源、通信电源和高端主板VRM（电压调节模块）中，该器件凭借低RDS(on)和高电流能力，满足了现代处理器对大电流、低电压供电的需求。此外，它也被用于电池管理系统（BMS）中作为充放电开关，控制锂电池组的通断，其高耐压和强电流处理能力确保了系统安全与稳定性。
　　在电机驱动领域，Q2006N4TP常用于H桥或三相逆变器电路中，驱动直流电机、步进电机或无刷直流电机（BLDC）。其快速开关特性和低栅极电荷使其适合PWM调速控制，能够在高频下稳定运行而不产生过多热量。同时，该器件也适用于电动工具、电动自行车和小型电动车的控制器模块中，提供高效的能量传输路径。
　　其他应用还包括不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、工业电源模块以及各类高电流负载开关电路。由于其具备良好的热性能和抗雪崩能力，Q2006N4TP还能在短时过载或感性负载关断过程中保持稳定，避免因电压反冲造成损坏。此外，在自动测试设备（ATE）、电源分配单元（PDU）和高功率LED驱动电路中也有广泛应用。得益于其紧凑的PowerSSO-36封装，该器件特别适合空间受限但对性能要求较高的嵌入式系统设计。

NTD60N02R2G
　　FDBL0060N