PZU6.8B1 时间：2025/9/14 22:20:32 阅读：8

PZU6.8B1 是一款由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）制造的齐纳二极管（Zener Diode），常用于电压参考和稳压应用。该器件的标称齐纳电压为6.8V，适用于低功耗电路中的稳定电压参考。齐纳二极管通常在反向击穿区域工作，能够提供相对稳定的电压，即使输入电流发生波动。PZU6.8B1 采用 SOD-123 表面贴装封装，适合用于便携式设备、电源管理电路以及各种模拟电路中。

参数

类型：齐纳二极管
　　标称齐纳电压：6.8 V
　　齐纳电流（测试条件）：5 mA
　　最大齐纳电流：100 mA
　　最大功耗：300 mW
　　封装类型：SOD-123
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　引脚数：2

特性

PZU6.8B1 齐纳二极管具备一系列优良的电气和机械特性，适用于广泛的电子应用。其主要电气特性包括稳定的6.8V齐纳电压，在5mA测试电流下具有较小的电压偏差，确保在各种工作条件下提供精确的电压参考。该器件的动态电阻较低，有助于在负载变化时保持输出电压的稳定性。此外，其工作温度范围宽达-55°C至+150°C，适用于各种环境条件下的工业和汽车应用。
　　该齐纳二极管采用SOD-123表面贴装封装，体积小巧，适合高密度PCB布局，同时提高了装配效率。由于其最大功耗为300mW，可以在低功耗设计中安全运行。PZU6.8B1还具有良好的热稳定性和长期可靠性，能够在持续工作条件下保持性能稳定。此外，其双引脚设计简化了电路连接，降低了PCB布线的复杂度。
　　该器件的齐纳击穿特性具有良好的重复性和一致性，适用于需要高精度电压参考的设计，如ADC/DAC参考电压源、电源监控电路和过压保护电路。PZU6.8B1的低温度系数也使其在温度变化较大的环境中仍能维持电压的稳定性，从而提高整体系统的可靠性。

应用

PZU6.8B1 主要用于需要稳定电压参考的电子电路中。典型应用包括模拟电路中的电压基准、电源管理系统的稳压、过压保护电路中的参考电压设定、以及电池供电设备中的电压监测。此外，它还可用于信号调理电路、电压比较器的参考输入、以及作为基准电压源为运算放大器等模拟器件提供偏置电压。在汽车电子、工业控制、消费类电子产品和通信设备中，PZU6.8B1 均有广泛应用。