时间：2025/9/14 6:54:52
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PZU6.8B,115 是一款由NXP（恩智浦）半导体公司生产的齐纳二极管（Zener Diode），主要用于电压调节和电路保护应用。该器件的标称齐纳电压为6.8V，适合用于需要稳定电压参考的电子系统中。该型号采用SOD123表面贴装封装，具有较小的封装尺寸和较高的可靠性，适用于广泛的工作温度范围。
类型：齐纳二极管
标称齐纳电压：6.8V
容差：±5%
最大齐纳电流：200mA
最大耗散功率：300mW
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
存储温度范围：-65°C 至 +150°C
封装形式：SOD123
尺寸：2.7mm x 1.7mm x 1.1mm
PZU6.8B,115 具备出色的电气特性和稳定性，是恩智浦推出的高性能齐纳二极管之一。该器件采用先进的硅半导体技术制造，能够在较宽的温度范围内保持稳定的齐纳电压。其±5%的电压容差确保了在高精度应用中的可靠性。此外，该齐纳二极管的最大耗散功率为300mW，能够在较高的环境温度下正常工作而不会发生热失效。
在封装方面，PZU6.8B,115 采用SOD123表面贴装封装，尺寸小巧，便于在高密度PCB布局中使用。该封装还具备良好的热传导性能，有助于将器件工作时产生的热量有效散发。SOD123封装也符合RoHS环保标准，适用于无铅工艺制造流程。
该器件的工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于工业级和汽车级应用。其存储温度范围同样宽广，为-65°C至+150°C，确保在极端环境下的长期稳定性。
PZU6.8B,115 广泛应用于各种电子系统中，包括电源管理电路、电压调节模块、信号处理电路以及嵌入式控制系统。其主要功能包括作为基准电压源、提供过压保护、实现电压钳位以及在模拟和数字电路中用于电平调整。
在电源设计中，该齐纳二极管常用于反馈回路中，以稳定输出电压并提高电源的精度和可靠性。此外，在传感器接口电路中，PZU6.8B,115 可作为参考电压源，确保传感器信号的准确采集和处理。
由于其高稳定性和小封装特性，该器件也常用于便携式设备、工业自动化系统、汽车电子模块以及通信设备中。
BZX84C6V8, BZV4943B-6V8, MMSZ5239B
