PZU33BA 是一款由 NXP(恩智浦)生产的齐纳二极管(Zener Diode),广泛用于电压参考和稳压应用。该器件具有精确的击穿电压特性,适用于各种电子电路中对稳定电压的需求。
类型:齐纳二极管
标称齐纳电压:33V
最大齐纳电流:200mA
最大耗散功率:300mW
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:SOD123
PZU33BA 的核心特性是其精确的电压稳压性能,其齐纳击穿电压在 33V 左右保持高度稳定,适用于高精度的电压参考应用。该器件的齐纳电压温度系数极低,使其在温度变化较大的环境中仍能维持稳定的输出电压。此外,PZU33BA 具有快速响应特性,能够在输入电压波动时迅速调整,保持输出稳定。其小型 SOD123 封装也使其适用于高密度电路设计,同时具备良好的散热性能和可靠性。
该器件的制造工艺采用了先进的硅半导体技术,确保了在各种工作条件下的稳定性和一致性。PZU33BA 还具备优异的动态阻抗特性,使其在负载变化时依然能够维持稳定的电压输出。此外,它具备较低的漏电流,在非击穿状态下对电路的影响极小,从而提高了整体系统的能效。
PZU33BA 常用于需要稳定电压参考的电路中,例如电源管理模块、电压调节器、电池管理系统、工业控制电路以及测量仪器。它也广泛应用于汽车电子系统、消费类电子产品和通信设备中,作为电压稳压和参考的关键元件。
BZX84-C33, 1N4733A