PZU3.3B,115 是一款由NXP Semiconductors(恩智浦半导体)生产的齐纳二极管(Zener Diode),主要用于电压参考和稳压应用。该器件属于PZU系列,具有3.3V的标称齐纳电压和较高的稳定性和精度。其SOD123封装形式适用于表面贴装技术(SMT),适合在空间受限的电路中使用。
类型:齐纳二极管
标称齐纳电压(Vz):3.3 V
容差:±5%
最大耗散功率(Ptot):300 mW
封装类型:SOD123
工作温度范围:-65°C 至 +150°C
最大反向漏电流(IR):100 nA(在25°C)
最大齐纳阻抗(Zzt):15 Ω
PZU3.3B,115 齐纳二极管具有出色的稳定性和低温度系数,使其适用于高精度的电压参考设计。该器件的封装形式为SOD123,体积小巧,便于在PCB上进行高密度布局。
其最大耗散功率为300 mW,能够在较高的环境温度下正常工作,具有良好的热稳定性。齐纳电压的容差为±5%,确保了输出电压的精确性,适用于需要稳定参考电压的模拟和数字电路。
此外,该齐纳二极管的反向漏电流非常低,在25°C时最大为100 nA,有助于减少电路中的静态功耗。其齐纳阻抗较低(最大为15Ω),能够在负载变化时保持稳定的输出电压,提高系统的整体性能。
由于其宽广的工作温度范围(-65°C至+150°C),PZU3.3B,115适用于工业级和汽车电子应用,能够在极端环境下可靠运行。
PZU3.3B,115 齐纳二极管广泛应用于各类电子设备中,尤其是在需要稳定参考电压的场合。常见的应用包括:
1. 电源管理电路中的电压参考
2. 电池供电设备中的稳压电路
3. 传感器电路中的参考电压源
4. 工业控制系统的电压调节模块
5. 汽车电子系统中的基准电压源
6. 通信设备中的信号调理电路
该器件也可用于过压保护电路、电压检测电路以及精密运算放大器的参考电压设置。
PZU3.3B,115 可以使用以下型号作为替代:BZX84C3V3、MM3Z3V3B、ZMM3.3。这些型号具有相似的电气特性和封装形式,可在大多数应用中进行直接替换。但在高精度或特殊环境应用中,建议查阅数据手册并进行实际测试以确保兼容性。