PZU18B1A,115 时间：2025/9/13 21:20:53 阅读：11

PZU18B1A,115 是一款由 NXP（恩智浦）公司推出的双极型晶体管（BJT）阵列，适用于各种模拟和数字电路中的放大和开关应用。该器件包含两个独立的NPN晶体管，采用SOT23-6封装，非常适合在小型化设计中使用。晶体管的参数设计使其在低功率和中功率应用中表现出色。

参数

类型：NPN晶体管阵列
　　晶体管数量：2个
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30V
　　最大功耗：300mW
　　电流增益（hFE）：110-800（根据工作电流不同）
　　过渡频率（fT）：100MHz
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C

特性

PZU18B1A,115 是一款高集成度的晶体管阵列，具有紧凑的SOT23-6封装，节省了电路板空间。每个晶体管具备良好的电流增益特性，其hFE值可以根据不同的工作电流在110到800之间变化，使得该器件能够适应多种放大和开关需求。此外，该晶体管的过渡频率达到100MHz，支持高频应用。器件的最大集电极电流为100mA，最大集电极-发射极电压为30V，可以胜任中等功率的应用。PZU18B1A,115 还具有良好的热稳定性和可靠性，能够在宽温度范围内稳定运行，适合工业和汽车电子等苛刻环境下的应用。
　　这款晶体管阵列的封装设计使其易于进行自动化装配，同时具有较低的寄生电容，有助于提高电路的高频响应。器件的两个晶体管之间具有良好的匹配特性，非常适合需要对称设计的电路应用，例如差分放大器和推挽输出级。此外，该器件的低功耗特性和较高的集成度使其在便携式电子设备和低功耗控制系统中表现出色。