PZU12B1,115 是一款由 Nexperia(原恩智浦半导体的一部分)制造的齐纳二极管(Zener Diode),主要用于电压参考和稳压应用。该器件具有良好的温度稳定性和低动态阻抗,适用于需要精确电压控制的电路设计。该器件采用 SOD323 封装,适合表面贴装工艺,适用于多种电子设备。
类型:齐纳二极管
标称齐纳电压:12 V
齐纳电压容差:±5%
最大齐纳电流:200 mA
最大耗散功率:300 mW
工作温度范围:-65°C ~ 150°C
封装类型:SOD323
引脚数:2
动态阻抗(Zzt):最大 10 Ω
测试电流(Izt):5 mA
PZU12B1,115 齐纳二极管具有多个优异的电气特性,使其在电压稳压和参考应用中表现出色。首先,其标称齐纳电压为 12V,在测试电流为 5mA 时能够保持稳定的工作状态,电压容差为 ±5%,确保在不同工作条件下提供可靠的电压基准。该器件的动态阻抗较低,最大仅为 10Ω,有助于减少负载变化对输出电压的影响,提高电路的稳定性。
其次,PZU12B1,115 的最大齐纳电流为 200mA,最大耗散功率为 300mW,适用于中等功率的稳压需求。其工作温度范围为 -65°C 至 150°C,具备良好的热稳定性和耐环境能力,适合在宽温环境下工作。采用 SOD323 小型封装,不仅节省空间,还支持表面贴装工艺,提高生产效率和焊接可靠性。
此外,该器件具有低泄漏电流特性,在反向截止状态下可有效减少不必要的功耗,提高系统能效。广泛应用于电源管理、信号调节、电压监测等电路中,作为参考电压源或过压保护元件。
PZU12B1,115 主要应用于需要稳定电压参考的电子电路中。例如,在电源管理模块中,它可以作为电压基准用于调节输出电压或提供参考信号。在模拟电路设计中,常用于为运算放大器、比较器等提供稳定的偏置电压。此外,该器件也可用于过压保护电路,限制输入信号的电压范围,保护后续电路免受损坏。
由于其良好的温度稳定性和低动态阻抗,PZU12B1,115 常见于工业控制设备、消费电子产品、通信模块、传感器接口电路等。例如,在电池管理系统中,可用于检测电池电压是否超过安全阈值;在LED驱动电路中,用于稳定参考电压以确保恒定的输出亮度;在嵌入式系统中,用于为ADC或DAC提供参考电压源,提高测量精度。
PZU12B1-115, PZU12B1-Q, BZX84C12, BZX84C12LT1G, MMSZ4681T1G