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PZU11DB2,115 发布时间 时间:2025/9/13 21:35:56 查看 阅读:2

PZU11DB2,115 是一款由Nexperia(原恩智浦半导体的一部分)制造的表面贴装双向电压抑制(TVS)二极管,专为保护电子电路免受静电放电(ESD)、浪涌和瞬态电压等瞬态电压事件的影响而设计。该器件具有低钳位电压、快速响应时间和高可靠性,适用于各种便携式和高密度电子设备。PZU11DB2采用SOT23封装,适合空间受限的应用场景。

参数

类型:双向TVS二极管
  峰值脉冲电流(Ipp):1.1A
  反向工作电压(Vrwm):11V
  击穿电压(Vbr):12.3V(最小)至13.7V(最大)
  最大钳位电压(Vc):19.1V
  封装类型:SOT23

特性

PZU11DB2,115 的核心特性之一是其双向保护能力,使其能够在正负两个方向上有效抑制瞬态电压,适用于交流信号线路和双向数据线路的保护。该器件具有非常低的漏电流,在正常工作条件下对电路影响极小,确保信号完整性。其快速响应时间小于1纳秒,能够在瞬态事件发生时迅速导通,将有害能量引导到地,从而保护后级电路。
  此外,PZU11DB2具有高可靠性,符合IEC 61000-4-2 Level 4 ESD抗扰度标准,确保在极端环境下的稳定运行。SOT23封装形式不仅节省空间,而且便于自动化生产和回流焊工艺,适用于高密度PCB布局。该器件的低电容特性也使其适用于高速数据线路的保护,如USB、HDMI和以太网接口等应用。

应用

PZU11DB2,115 主要用于消费类电子产品,如智能手机、平板电脑、笔记本电脑和可穿戴设备中的ESD保护。此外,它也广泛应用于工业控制系统、通信设备、传感器接口和汽车电子模块中,用于保护敏感的集成电路免受瞬态电压损坏。其低电容和双向保护特性使其特别适合用于高速数据通信线路的保护,例如USB 2.0、HDMI和CAN总线等应用场景。

替代型号

PZU11DB2,115 可以使用如PESD12LV1BA或NUP2105L等作为替代型号。

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PZU11DB2,115参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭二极管/齐纳阵列
  • 系列-
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)11V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)900mV @ 10mA
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电100nA @ 8V
  • 配置2 个独立式
  • 功率 - 最大250mW
  • 阻抗(最大)(Zzt)10 欧姆
  • 容差±2%
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳6-TSSOP(5 引线),SC-88A,SOT-353
  • 供应商设备封装SOT-353
  • 包装带卷 (TR)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 其它名称934061546115PZU11DB2 T/RPZU11DB2 T/R-ND