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PZTA42T1G 发布时间 时间:2025/5/30 21:23:04 查看 阅读:12

PZTA42T1G 是一款高性能的功率晶体管,属于 TO-264 封装类型。该器件主要应用于开关电源、电机驱动、逆变器等场景中,具有较高的电流承载能力和良好的热性能。
  该晶体管通过优化设计,在高频和高电压环境下表现出卓越的稳定性和可靠性,适用于工业控制及消费电子领域。

参数

集电极-发射极击穿电压:600V
  连续集电极电流:15A
  功耗:200W
  总存储结温范围:-55℃ to +175℃
  导通电阻:0.18Ω
  栅极阈值电压:4V
  过渡频率:1.9MHz

特性

PZTA42T1G 的显著特点包括大电流处理能力、低导通电阻以及出色的热稳定性。其封装形式(TO-264)便于散热管理,并且能够支持表面贴装技术(SMT),从而提高生产效率。
  此外,该器件还具备快速开关特性和较低的开关损耗,有助于提升系统效率。同时,它在高温环境下的表现也非常可靠,适用于严苛的工作条件。
  PZTA42T1G 还内置了过流保护功能,可以在异常情况下有效保护电路不受损害。

应用

该功率晶体管广泛用于各类电力电子设备中,包括但不限于开关模式电源(SMPS)、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器、电动车驱动控制器以及家用电器中的电机驱动模块。
  其高频工作能力使其非常适合于需要高效能量转换的应用场合,同时其强大的电流处理能力也使得它成为高负载应用的理想选择。

替代型号

PZTA42T1F, IRF840, STP15NF06

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PZTA42T1G参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)50mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)300V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)500mV @ 2mA,20mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)40 @ 30mA,10V
  • 功率 - 最大1.5W
  • 频率 - 转换50MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-261-4,TO-261AA
  • 供应商设备封装SOT-223
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称PZTA42T1GOSPZTA42T1GOS-NDPZTA42T1GOSTR