时间：2023/4/24 11:38:08
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PZT651T1G技术参数
类型：NPN
集电极－发射集最小雪崩电压Vceo(V)：60
集电极最大电流Ic(max)(mA)：2000
直流电流增益hFE最小值(dB)：75
直流电流增益hFE最大值(dB)：－
最小电流增益带宽乘积Ft(MHz)：75
封装/温度(℃)：SOT-223/–55 to +150
| 厂商 |
|---|
| ON Semiconductor |
