PZM6.8NB3 时间：2025/12/27 20:52:22 阅读：12

PZM6.8NB3是一款齐纳二极管（Zener Diode），由Nexperia公司生产。该器件属于表面贴装（SOD323封装）的稳压二极管系列，广泛用于低功率稳压、电压参考和电路保护应用中。其标称齐纳电压为6.8V，具有较小的动态电阻和良好的温度稳定性，适用于便携式电子设备和高密度PCB设计。该型号采用无铅（Pb-free）制造工艺，并符合RoHS环保要求，适合现代绿色电子产品的需求。PZM6.8NB3在正常工作条件下可提供稳定的反向击穿电压，确保负载两端电压维持在安全范围内，是许多模拟和数字系统中常用的电压钳位与调节元件之一。
　　PZM6.8NB3的工作机理基于PN结的反向击穿特性，在达到其额定齐纳电压时进入导通状态，允许电流通过以限制电压上升。该器件特别适合在低压直流电路中作为过压保护或基准电压源使用。由于其小型化封装和优良的电气性能，常被应用于电源管理模块、传感器接口、微控制器供电线路以及信号电平转换等场景。此外，该器件具备较高的可靠性与长期稳定性，能够在较宽的环境温度范围内保持一致的性能表现。

参数

类型：齐纳二极管
　　极性：单齐纳
　　最大耗散功率：500mW
　　标称齐纳电压：6.8V
　　齐纳电压容差：±4%
　　测试电流：5mA
　　最大齐纳阻抗：10Ω
　　工作温度范围：-65°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-65°C ~ +150°C
　　封装/外壳：SOD323

特性

PZM6.8NB3的电气特性表现出优异的稳压精度和响应速度。其标称齐纳电压为6.8V，在5mA的测试电流下能够稳定工作，且电压容差控制在±4%以内，这使得它在需要较高电压精度的应用中具有显著优势。该器件的低动态阻抗（最大10Ω）意味着即使负载电流发生波动，输出电压也能保持相对恒定，有效抑制电压漂移现象。这种低阻抗特性对于噪声敏感电路尤为重要，例如ADC参考源或传感器信号调理电路，有助于提升系统的整体信噪比和测量精度。
　　该齐纳二极管的最大功率耗散为500mW，结合SOD323小型封装，实现了高性能与空间节省之间的良好平衡。尽管体积小巧，但其热设计仍能支持在常规散热条件下可靠运行。器件的反向漏电流在低于击穿电压时非常小，通常在微安级别，从而降低了待机功耗，提高了能源利用效率。此外，PZM6.8NB3具备良好的温度系数，在整个工作温度范围内（-65°C至+150°C）电压漂移较小，确保了极端环境下的稳定性。
　　从制造工艺来看，PZM6.8NB3采用先进的半导体技术生产，具有高度一致性和批次稳定性。其无铅、符合RoHS指令的设计也满足国际环保标准，适用于出口型电子产品及对有害物质有严格限制的行业应用。SOD323封装支持自动化贴片生产，便于大规模SMT组装，提升了生产效率并降低了制造成本。该器件还具备较强的抗静电能力和一定的瞬态过压承受能力，增强了系统在复杂电磁环境中的鲁棒性。综合来看，PZM6.8NB3是一款集高精度、小尺寸、低功耗和高可靠性于一体的现代齐纳二极管，适用于多种精密电子系统中的电压基准和保护功能实现。

应用

PZM6.8NB3主要应用于需要精确电压参考或过压保护的小功率电子电路中。常见用途包括为微控制器、传感器、运算放大器等提供稳定的基准电压源；在电源轨上作为电压钳位器件，防止瞬态高压损坏下游元件；也可用于信号电平转换电路中，确保逻辑电平兼容性。此外，该器件广泛用于消费类电子产品如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的电源管理单元，以及工业控制、汽车电子和通信模块等对空间和可靠性要求较高的场合。其小型化封装特别适合高密度PCB布局设计，是现代紧凑型电子设备的理想选择。