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PZM3.0NB 发布时间 时间:2025/12/27 21:53:23 查看 阅读:15

PZM3.0NB是一款由NXP Semiconductors(恩智浦半导体)生产的双向瞬态电压抑制二极管(TVS二极管),专为保护敏感电子电路免受瞬态电压脉冲和静电放电(ESD)损害而设计。该器件采用SOD323小型表面贴装封装,具有低箝位电压、快速响应时间和高可靠性等优点,适用于空间受限且对ESD防护要求较高的便携式电子产品。PZM3.0NB的标称击穿电压为3.0V,能够有效保护工作电压接近3V的信号线路,例如USB接口、音频端口、数据线和I/O引脚等。其结构基于齐纳二极管原理,在正常工作条件下呈现高阻抗状态,不影响系统运行;当遭遇超过其击穿电压的瞬态过压事件时,迅速切换至低阻态,将多余能量泄放到地,从而限制电压上升幅度,保护后级电路安全。此外,PZM3.0NB符合AEC-Q101汽车级认证标准,具备良好的温度稳定性和长期可靠性,适合在严苛环境中使用。

参数

类型:双向TVS二极管
  封装:SOD323
  击穿电压(Min):2.67V
  击穿电压(Max):3.33V
  测试电流(Itest):1mA
  最大箝位电压(Vc):6.0V
  最大反向漏电流(Ir):10μA
  峰值脉冲功率(Pppm):300W
  工作结温范围(Tj):-55°C ~ +150°C
  极性:双向

特性

PZM3.0NB的核心特性在于其出色的瞬态抑制能力和紧凑的物理尺寸,使其成为现代消费类电子和通信设备中理想的ESD保护解决方案。该器件采用先进的硅芯片制造工艺,确保了高度一致的电气特性和稳定的击穿电压容差。其双向导通结构意味着无论瞬态电压是正向还是负向,都能提供对称的保护性能,特别适用于交流信号或双极性信号线路。在实际应用中,PZM3.0NB能够在小于1纳秒的时间内响应高达±30kV的人体模型(HBM)静电放电冲击,并将其箝位在安全范围内,避免敏感CMOS电路发生闩锁或永久性损坏。
  另一个显著优势是其低动态电阻和低寄生电容(通常小于15pF),这使得它不会对高速信号传输造成明显的衰减或失真,因此非常适合用于USB 2.0、HDMI、SD卡接口等高频信号路径的保护。同时,由于其SOD323封装仅有约1.7mm x 1.25mm的占地面积,极大地节省了PCB空间,有助于实现终端产品的轻薄化设计。PZM3.0NB还具有优异的热稳定性,能够在极端温度环境下保持稳定的保护性能,适用于工业控制、汽车电子和户外通信设备等应用场景。
  此外,该器件通过了IEC 61000-4-2 Level 4(±8kV接触放电)等多项国际电磁兼容性标准认证,证明其在真实复杂电磁环境下的鲁棒性。其无铅、符合RoHS指令的设计也满足现代绿色电子产品制造的要求。综合来看,PZM3.0NB凭借其高性能、小尺寸和高可靠性,已成为众多设计师在进行电路级ESD防护时的首选器件之一。

应用

PZM3.0NB广泛应用于各类需要高等级静电放电保护的电子设备中,典型应用包括智能手机、平板电脑、可穿戴设备等便携式消费电子产品中的数据接口和按键电路保护。它常被部署于USB端口、耳机插孔、麦克风输入、触摸屏控制器信号线以及GPIO引脚上,防止用户操作过程中产生的静电损坏内部集成电路。此外,在计算机外围设备如键盘、鼠标和U盘中,PZM3.0NB也能有效提升系统的电磁兼容性和长期运行稳定性。
  在通信领域,该器件可用于以太网PHY接口、RS-232/RS-485收发器、SIM卡槽和天线开关模块的瞬态防护。对于工业自动化系统,PZM3.0NB可保护PLC输入输出通道、传感器信号线免受现场干扰引起的电压尖峰影响。在汽车电子方面,因其通过AEC-Q101认证,适用于车载信息娱乐系统、导航设备、倒车雷达和车内USB充电端口的ESD防护。此外,在医疗设备、测试仪器和智能家居控制器中,PZM3.0NB同样发挥着关键的电路保护作用,确保设备在各种使用环境下的安全与可靠运行。

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