类型：PIN二极管
　　封装：SOD323
　　极性：双向
　　最大反向电压（VRRM）：75 V
　　平均整流电流（IO）：200 mA
　　峰值脉冲电流（IFSM）：1 A
　　结温（Tj）：150 °C
　　储存温度范围：-65 °C 至 +150 °C
　　正向电压（VF）：典型值1.0 V（在10 mA条件下）
　　反向漏电流（IR）：最大1 μA（在75 V、25 °C条件下）
　　电容（CT）：典型值0.95 pF（在4 V、1 MHz条件下）
　　串联电阻（RS）：典型值1.1 Ω
　　反向恢复时间（trr）：典型值4 ns

PZM22NB1的核心优势在于其高频性能与小型封装的完美结合。作为一款PIN二极管，它在射频信号路径中能够实现高效的开关和调制功能。其典型的结电容仅为0.95 pF（在4 V偏置下），这一低电容特性显著降低了对高频信号的负载效应，使其能够在GHz级别的频率范围内保持良好的信号完整性。这对于诸如天线调谐、RF开关和衰减器等应用至关重要。此外，该器件的串联电阻（RS）低至1.1 Ω，有助于减少插入损耗，提高系统的整体效率。
　　PZM22NB1具备快速的反向恢复时间（trr典型值为4 ns），这意味着它可以在高速切换应用中迅速响应状态变化，避免产生不必要的瞬态干扰或信号失真。这种快速开关能力使其适用于脉冲调制和数字控制的射频系统。同时，该二极管支持双向极性设计，能够在交流信号环境中正常工作，增强了其在差分电路和平衡混频器中的适用性。
　　该器件采用SOD323封装，尺寸仅为1.7 mm × 1.25 mm × 1.1 mm，非常适合高密度PCB布局和自动化贴片生产。尽管体积小，但其热性能经过优化，可在高达150°C的结温下可靠运行，确保在高温环境下的长期稳定性。PZM22NB1还具有良好的ESD耐受能力（HBM 2 kV），提高了在实际装配和使用过程中的鲁棒性。
　　值得一提的是，PZM22NB1在制造过程中采用了先进的晶圆级工艺，保证了器件参数的高度一致性，有利于大批量生产的良率控制。其材料兼容JEDEC标准回流焊曲线，支持现代SMT生产线的集成。综合来看，PZM22NB1是一款集高频性能、紧凑尺寸和高可靠性于一体的PIN二极管，是现代无线通信前端模块的理想选择之一。

PZM22NB1广泛应用于各类高频和射频电子系统中。在移动通信领域，常用于智能手机和无线模块中的天线调谐电路，通过控制PIN二极管的偏置状态来动态调整天线阻抗匹配，从而提升发射效率和接收灵敏度。此外，在RF开关电路中，PZM22NB1可用于路径选择，例如在多频段或多模式设备中切换不同频段的射频通道，实现全双工通信或分集接收。
　　在无线局域网（WLAN）设备如Wi-Fi路由器和接入点中，PZM22NB1可用于构建低损耗的射频前端开关，确保2.4 GHz和5 GHz频段之间的高效切换。其低电容和低串联电阻特性最大限度地减少了信号衰减，保障了高速数据传输的稳定性。
　　该器件也适用于蓝牙、Zigbee和其他短距离无线通信模块，用于信号路由和功率控制。在测试与测量仪器中，PZM22NB1可作为保护二极管防止过载信号损坏敏感的接收前端，或用于构建可编程衰减器网络。
　　此外，PZM22NB1还可用于电视调谐器、卫星接收器和汽车信息娱乐系统的射频输入级，提供可靠的信号隔离和切换功能。在雷达和物联网（IoT）设备中，其快速响应能力和稳定性也使其成为理想的组件之一。由于其符合环保标准且支持自动化生产，PZM22NB1被广泛采纳于消费类、工业级乃至部分汽车电子应用中。

BAP50-03, PMBT22N