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PZ1331A-51ZZ1-1H 发布时间 时间:2025/6/3 12:57:55 查看 阅读:5

PZ1331A-51ZZ1-1H是一种高性能的功率MOSFET芯片,主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等领域。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻、高效率和良好的热性能等优点,适合要求高可靠性和高效能的应用场景。
  这种芯片以其卓越的电气特性和稳定性著称,广泛用于消费电子、工业控制以及通信设备中。

参数

型号:PZ1331A-51ZZ1-1H
  类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  最大漏极电流(Id):40A
  导通电阻(Rds(on)):1.5mΩ(典型值,@Vgs=10V)
  功耗(Ptot):78W
  结温范围(Tj):-55°C至+175°C
  封装形式:TO-220

特性

1. 极低的导通电阻,有助于降低功耗并提高系统效率。
  2. 高速开关能力,可满足高频应用需求。
  3. 良好的热稳定性,能够适应恶劣的工作环境。
  4. 强大的抗浪涌电流能力,确保在异常情况下仍能正常工作。
  5. 具备优异的ESD防护性能,提高了产品的可靠性。
  6. 小型化设计,便于集成到紧凑型电路板上。

应用

PZ1331A-51ZZ1-1H适用于多种电力电子应用领域,包括但不限于:
  1. 开关模式电源(SMPS),如适配器和充电器。
  2. DC-DC转换器,在电动汽车和储能系统中起到关键作用。
  3. 电机驱动,支持家用电器中的无刷直流电机控制。
  4. 电池管理系统(BMS),用于保护锂电池组免受过充、过放等损害。
  5. 工业自动化设备中的负载切换与功率管理。
  6. 通信基站中的高效能量转换模块。

替代型号

PZ1331A-51ZZ1-2H, PZ1331B-51ZZ1-1H

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