类型：MOSFET模块
　　漏源电压(Vds)：600V
　　漏极电流(Id)：25A（连续）
　　导通电阻(Rds(on))：典型值为 0.18Ω
　　封装形式：QOL（带绝缘基板的封装）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　栅极电荷(Qg)：约 60nC
　　功耗(Pd)：300W

PXN6R2-25QLJ 具备多项先进的技术特性，使其适用于高功率、高可靠性的应用场景。首先，该模块采用了IXYS的HiPerMOS技术，提供了较低的导通电阻和快速的开关性能，从而降低了导通损耗和开关损耗，提高了整体效率。
　　其次，该器件采用了QOL封装技术，具备良好的热管理和电气绝缘性能，能够在恶劣环境下稳定运行。这种封装方式还降低了寄生电感，提升了模块在高频率开关操作下的性能。
　　此外，PXN6R2-25QLJ 还具备较高的抗过载能力和优异的短路耐受能力，使其在电力电子变换器和电机驱动系统中表现出色。其宽工作温度范围也确保了在高温工况下仍能保持稳定运行，适用于工业自动化、可再生能源系统等对可靠性要求极高的场合。
　　最后，该模块设计时充分考虑了并联使用的需求，具有良好的均流特性，支持多模块并联应用以满足更高功率输出的需求。

PXN6R2-25QLJ 主要应用于需要高功率密度和高效率的电力电子设备中。例如，该模块广泛用于工业电机驱动器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及焊接设备等场合。其优异的电气性能和可靠的封装设计使其在电动汽车充电系统、储能系统和智能电网设备中也有广泛应用。
　　在工业自动化领域，PXN6R2-25QLJ 常用于高性能变频器和伺服驱动器中，提供高效的功率转换和稳定的运行性能。在新能源应用中，该模块可用于光伏逆变器的DC-AC转换部分，实现高效率的能量转换。同时，其出色的耐久性和热管理能力也使其适用于电能质量调节设备，如动态电压调节器和无功功率补偿器。
　　由于其高可靠性和并联能力，PXN6R2-25QLJ 也常被用于需要冗余设计的高可用性系统中，如数据中心电源系统和医疗电源设备。

IXYS IXFN25N60P, Infineon FF25R60KT4_B11, STMicroelectronics STP25NM60N