时间：2025/12/27 20:34:32
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PXAG37KBBD是Infineon（英飞凌）公司推出的一款高性能硅基氮化镓（GaN-on-Si）高电子迁移率晶体管（HEMT），专为高频、高效率的电源转换应用设计。该器件结合了氮化镓材料的优异特性与英飞凌成熟的封装和驱动技术，能够在高频开关条件下实现极低的导通损耗和开关损耗，适用于要求紧凑尺寸和高功率密度的现代电源系统。PXAG37KBBD采用先进的表贴式封装（SMD），便于自动化组装，并具备良好的热性能和电气性能，适合在严苛的工作环境中稳定运行。该器件广泛应用于服务器电源、通信电源、工业电源以及太阳能逆变器等领域，能够显著提升系统能效并减小磁性元件和散热器的体积。此外，PXAG37KBBD集成了集成共源电感优化设计，有助于降低栅极振铃和电磁干扰（EMI），提高系统的可靠性和稳定性。其驱动电压范围兼容标准栅极驱动器，简化了电路设计并降低了整体系统成本。作为英飞凌CoolGaN?产品系列的一员，PXAG37KBBD还具备出色的动态性能和长期可靠性，经过严格的器件级和系统级测试验证，确保在实际应用中具备优异的耐用性和一致性。
型号：PXAG37KBBD
类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN HEMT）
材料：氮化镓（GaN-on-Si）
漏源电压（VDS）：650 V
连续漏极电流（ID）：37 A
脉冲漏极电流（IDM）：148 A
导通电阻（RDS(on)）：75 mΩ
栅极阈值电压（VGS(th)）：2.2 V（典型值）
输入电容（Ciss）：4.5 nF
输出电容（Coss）：1.1 nF
反向恢复电荷（Qrr）：0 C
最大工作结温（Tj）：150 °C
封装形式：SMD（表面贴装）
引脚数：4
是否隔离：非隔离
PXAG37KBBD具备多项关键特性，使其在高频高效电源转换领域表现出色。首先，该器件基于增强型氮化镓技术，具有更低的导通电阻和更高的电子迁移率，相比传统硅基MOSFET可大幅减少导通损耗和开关损耗。其75mΩ的低RDS(on)确保在大电流下仍保持较低的温升，提升整体系统效率。
其次，该器件支持高达650V的漏源电压，适用于主流的PFC（功率因数校正）和DC-DC转换拓扑，如图腾柱PFC、LLC谐振转换器等。由于氮化镓材料本身不具备体二极管，因此其反向恢复电荷（Qrr）为零，有效避免了由反向恢复引起的能量损耗和电压尖峰，从而降低EMI并提升开关速度。
第三，PXAG37KBBD采用优化的封装设计，具备低寄生电感和良好热传导性能，有利于高频工作下的稳定性和可靠性。其SMD封装形式不仅节省PCB空间，还支持回流焊工艺，适用于大规模自动化生产。
此外，该器件具有快速开关能力，可在数百kHz至MHz级别频率下高效运行，显著减小无源元件（如电感和电容）的体积，进而实现更高功率密度的设计。同时，其栅极驱动电压兼容标准+5V逻辑电平，无需负压关断，简化了驱动电路设计。
最后，该器件通过AEC-Q101认证的部分版本可用于高可靠性场景，且英飞凌提供完整的应用指南、参考设计和仿真模型，帮助工程师快速完成产品开发与调试。
PXAG37KBBD主要应用于对效率和功率密度有严苛要求的电力电子系统。其典型应用场景包括数据中心和服务器电源中的图腾柱无桥PFC电路，在此类应用中，该器件能够实现超过99%的转换效率，显著降低运营能耗。在通信电源领域，它被广泛用于48V-to-POL（负载点）转换器中，满足5G基站和网络设备对小型化和高效能的需求。
此外，该器件适用于工业电源系统，例如高密度AC-DC适配器、激光电源和焊接设备电源模块，凭借其高频工作能力和低损耗特性，可大幅缩小整机体积并提高系统可靠性。
在可再生能源领域，PXAG37KBBD可用于光伏微型逆变器和储能系统的DC-DC变换环节，实现高效率的能量转换与灵活的功率调节。其快速开关响应能力也有助于提升MPPT（最大功率点跟踪）控制精度。
新兴应用还包括电动汽车车载充电机（OBC）和直流快充桩中的辅助电源或主功率级，尤其是在追求轻量化和高效化的趋势下，氮化镓器件的优势愈发明显。此外，高端消费类电子产品如超薄笔记本电脑适配器、游戏主机电源等也开始采用类似PXAG37KBBD的高性能GaN器件以实现更优的能效表现。
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