品牌：Power Integrations
　　产品系列：InnoSwitch?3-Pro
　　拓扑结构：反激式（Flyback）
　　集成开关：750 V PowiGaN?功率MOSFET
　　输出功率范围：最高约90 W（取决于设计）
　　工作频率：100 kHz典型值
　　输入电压范围：通用交流输入（85 VAC - 265 VAC）
　　反馈机制：FluxLink?磁感通信（无光耦）
　　控制模式：准谐振（Quasi-Resonant, QR）/CCM/DCM自适应
　　保护功能：过温保护（OTP）、过流保护（OCP）、过压保护（OVP）、开环保护
　　封装类型：InSOP-28D（带裸焊盘）
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　引脚数：28
　　是否环保：符合RoHS指令，无卤素

PX0834/B的核心特性之一是采用了先进的PowiGaN?技术，即氮化镓（GaN）功率晶体管集成于单片IC中。相比传统的硅基MOSFET，GaN器件具有更低的导通电阻和开关损耗，从而显著提升转换效率，尤其是在高频工作条件下表现优异。这使得电源适配器可以实现更高的功率密度，减小变压器和散热组件的体积，有助于设计出更小巧、更轻便的终端产品。同时，由于效率提高，温升降低，系统整体可靠性也随之增强。
　　另一个关键特性是其数字控制架构与FluxLink?同步开关技术的结合。FluxLink?通过初级和次级之间的高频磁信号传输反馈信息，实现了±1%的高精度输出电压和电流调节，且不受光耦老化或温度漂移的影响。此技术还支持动态调整开关时序以优化效率，并可在多路输出设计中实现交叉调节性能的改善。
　　PX0834/B支持三种不同的工作模式：准谐振（QR）、连续导通模式（CCM）和非连续导通模式（DCM），控制器能够根据负载条件自动切换最优模式，确保在整个负载范围内保持高效率。此外，它具备完善的内置保护机制，包括逐周期限流、线路欠压/过压锁定、过热关断及自动恢复功能，极大提升了电源系统的鲁棒性。
　　该器件还提供可编程的接口，允许通过次级侧控制器对初级侧进行实时调控，例如设置最大输出功率、调节电压/电流基准、配置故障响应行为等，适用于需要灵活配置的高端应用。其高度集成的设计大幅减少了外围元件数量，降低了BOM成本，并缩短了产品开发周期。

PX0834/B主要面向高性能、高能效的离线式电源应用领域。典型应用场景包括智能手机、平板电脑和其他便携式设备的USB-PD快速充电器，尤其是追求高功率密度的小型化快充头设计。其高效的能量转换能力和紧凑的电路布局使其成为65W至90W级别氮化镓充电器的理想选择。
　　在智能家居与物联网设备中，PX0834/B可用于路由器、智能音箱、安防摄像头、智能门铃等产品的内置电源模块，这些设备通常要求低待机功耗、高可靠性和长期稳定运行。得益于其出色的空载输入功率表现（通常低于30mW），能够轻松满足各类绿色能源认证要求。
　　工业控制与自动化系统中的辅助电源也是其重要应用方向，例如PLC模块、传感器供电单元、HMI面板电源等。在这些环境中，电气隔离、抗干扰能力和宽温工作范围至关重要，而PX0834/B的InSOP-28D封装提供了增强的爬电距离和内部隔离屏障，符合IEC 60950/62368安全标准。
　　此外，该器件还可用于医疗设备的低功率电源部分（需符合相应安规认证）、电动工具充电器、LED驱动电源以及白色家电中的待机电源轨设计。其高度集成化和数字化控制能力支持快速原型开发和批量生产一致性，适合多种差异化产品的平台化设计需求。

INN3366C