时间：2025/12/28 22:53:37
阅读：7
PVG5H502C03R00 是一款由 Vishay（威世）公司生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率密度和高效率的电源系统中。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，提供低导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，适合在DC-DC转换器、电源管理和负载开关等应用中使用。PVG5H502C03R00 通常采用5引脚DFN封装，有助于改善热管理和电气性能。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（Id）：50A
最大漏-源电压（Vds）：30V
最大栅-源电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：3.0mΩ（典型值）
封装类型：5-Pin DFN
工作温度范围：-55°C 至 175°C
PVG5H502C03R00 MOSFET 具有多个显著的技术特性。首先，其极低的导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统的整体效率，这在高电流应用中尤为重要。其次，该器件采用了先进的沟槽式技术，使得在相同尺寸下具有更高的电流承载能力，同时保持较低的开关损耗。此外，PVG5H502C03R00 采用5引脚DFN封装，这种封装设计不仅有助于提高热传导效率，还能够降低寄生电感，从而减少开关过程中的电压振荡，提高系统稳定性。
该MOSFET的工作温度范围为-55°C至175°C，表明其具有良好的热稳定性和适用于各种严苛环境的能力。同时，最大栅-源电压为±20V，说明该器件对栅极驱动电压具有较高的容忍度，有助于简化驱动电路设计。此外，PVG5H502C03R00 还具备高可靠性，适用于需要长时间稳定运行的工业和汽车电子应用。
PVG5H502C03R00 MOSFET 主要用于高功率密度和高效率的电源管理系统中。其典型应用包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机控制以及电池管理系统。由于其低导通电阻和优良的热性能，该器件非常适合用于高电流输出的电源模块和服务器电源系统。此外，该MOSFET也适用于工业自动化设备、UPS（不间断电源）、电信设备以及电动汽车中的功率管理系统。
在汽车电子领域，PVG5H502C03R00 可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和车载DC-DC转换器等应用。由于其宽工作温度范围和高可靠性，特别适合在高温环境下运行的电子系统。在消费类电子产品中，该器件也可用于高功率充电器和电源适配器，以提高能量转换效率并减少发热。
SiR142DP-T1-GE3, FDS5670, IPP075N15N3G, IPW60R095C6
