时间：2025/9/15 1:05:47
阅读：2
PUMZ1,115 是一款由 Nexperia（安世半导体）制造的双极性晶体管（BJT），属于 NPN 类型的晶体管。该晶体管适用于多种通用开关和放大应用。它采用了 SOT-23（TO-236）封装，适合在中等功率应用中使用，并提供较高的可靠性和稳定性。PUMZ1,115 通常用于需要高速开关和低电压操作的电子电路中，例如在数字逻辑电路、电源管理和信号放大器中。
类型：NPN 双极性晶体管
最大集电极-发射极电压（VCEO）：50V
最大集电极电流（IC）：100mA
最大功耗（PD）：300mW
最大工作温度：150°C
封装类型：SOT-23（TO-236）
电流增益（hFE）：110 至 800（根据不同等级）
过渡频率（fT）：100MHz
最大集电极-基极电压（VCB0）：50V
最大发射极-基极电压（VEB0）：5V
PUMZ1,115 晶体管具有多项优异特性，使其适用于多种通用电子应用。首先，该器件的 NPN 结构使其能够高效地用于信号放大和开关应用。其 hFE（电流增益）范围广泛（110 至 800），允许在不同的工作条件下灵活调整。此外，该晶体管的 fT（过渡频率）高达 100MHz，支持高速操作，适合用于高频放大电路或数字开关电路。
该晶体管采用 SOT-23 封装，具有较小的尺寸和良好的热性能，适合在紧凑型 PCB 设计中使用。其最大集电极电流为 100mA，最大 VCEO 电压为 50V，能够在中等功率条件下稳定运行。此外，PUMZ1,115 的最大功耗为 300mW，能够在较高温度环境下工作，最大工作温度可达 150°C，确保了在严苛环境下的可靠性。
另一个重要特性是其出色的电气性能，包括低饱和电压和快速开关能力，这使得该晶体管在电源管理、电机控制和继电器驱动等应用中表现出色。同时，PUMZ1,115 还具有良好的抗静电能力和较高的稳定性，确保在多种工作条件下都能保持一致的性能。
PUMZ1,115 晶体管广泛应用于多个领域。在消费电子产品中，它常用于驱动 LED、继电器和小型电机。在数字电路中，PUMZ1,115 可作为逻辑门电路的开关元件，实现高速信号处理。在工业自动化系统中，该晶体管可用于传感器信号放大、电机控制以及电源开关电路。
此外，PUMZ1,115 也常用于通信设备中的射频放大器和调制电路，其高过渡频率使其适合处理高频信号。在汽车电子系统中，该晶体管可用于车身控制模块、车载娱乐系统和车灯控制系统。由于其高稳定性和可靠性，PUMZ1,115 在各种恶劣环境条件下仍能保持良好性能。
在嵌入式系统和微控制器外围电路中，PUMZ1,115 可用于扩展 I/O 驱动能力，例如控制风扇、继电器或蜂鸣器等外部设备。其低饱和电压和高电流增益使其成为高效能和低功耗设计的理想选择。
BC817-25, 2N3904, MMBT3904, 2N4401, PN2222A
