时间：2025/9/14 18:39:13
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PUMX2,125 是由 Nexperia（安世半导体）生产的一款双通道 P 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件适用于各种低电压和中等功率应用，具有良好的热稳定性和高可靠性。PUMX2,125 采用小型化封装，便于在空间受限的 PCB 设计中使用，广泛应用于电源管理、负载开关、DC-DC 转换器等领域。该 MOSFET 具有低导通电阻、快速开关速度以及低栅极电荷等优点，有助于提高系统效率并减少功率损耗。
类型：P 沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：20V
栅源电压（VGS）：±12V
连续漏极电流（ID）：-4.3A（在 25°C）
导通电阻（RDS(on)）：最大 42mΩ（在 VGS = -4.5V）
栅极电荷（Qg）：10.5nC（典型值）
封装类型：TSOP
工作温度范围：-55°C 至 150°C
PUMX2,125 的主要特性之一是其优异的导通性能。该器件在 -4.5V 的栅极电压下，RDS(on) 最大为 42mΩ，能够显著降低导通损耗，提高能效。此外，该 MOSFET 具有较低的栅极电荷（Qg），使其在高频开关应用中表现出色，减少开关损耗。其双通道结构设计允许在一个封装中集成两个独立的 P 沟道 MOSFET，节省了 PCB 空间并提高了系统集成度。
该器件采用 TSOP 封装，具有良好的热管理性能，可以在较高的环境温度下稳定工作。PUMX2,125 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适用于各种严苛的工业和汽车电子环境。其栅极驱动电压范围宽，支持 -12V 至 0V 的工作条件，便于与多种控制器和驱动电路兼容。
另外，PUMX2,125 具有较高的抗静电能力和良好的短路耐受性，确保了在复杂电磁环境下的稳定运行。该 MOSFET 还具备良好的热稳定性，在高负载条件下仍能保持较低的温升，从而提高系统的可靠性和寿命。
PUMX2,125 主要用于需要高效能和高集成度的低压功率管理系统中。常见的应用包括电池供电设备中的负载开关、DC-DC 转换器、同步整流器、电源分配系统以及电机驱动电路。由于其双通道设计和小型封装，该器件特别适用于便携式电子产品、工业控制设备、车载电子系统以及智能电表等应用场景。
在电源管理方面，PUMX2,125 可用于构建高效的同步降压或升压转换器，实现对电源的精确控制和高效转换。在电池管理系统中，它可以作为主开关或保护开关使用，有效防止过流和短路故障。此外，该 MOSFET 还可用于电机控制电路，提供快速响应和高效的功率切换。
PUMD3,115; DMG2996U; PMV39PEN; NDS351AN; FDC640P
