类型：肖特基二极管
　　配置：单体
　　最大重复反向电压（VRRM）：70 V
　　最大直流阻断电压（VR）：70 V
　　最大均方根交流电压（VRMS）：49 V
　　最大正向平均电流（IF(AV)）：300 mA
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：5 A
　　最大正向电压（VF）：1.2 V（在IF = 100 mA时）
　　最大反向漏电流（IR）：500 nA（在VR = 70 V, TA = 25°C时）
　　最大反向恢复时间（trr）：4 ns
　　工作结温范围（Tj）：-65 °C 至 +150 °C
　　存储温度范围（Tstg）：-65 °C 至 +150 °C
　　封装/包装：SOD323（SC-90）
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　湿度敏感等级（MSL）：1级（车间寿命无限）

PUMX1G的核心优势在于其卓越的高速开关性能和低功耗特性，这使其成为高频整流和信号解调应用的理想选择。其肖特基势垒结构基于铂-硅接触技术，显著降低了传统PN结二极管存在的少数载流子储存效应，从而实现了极短的反向恢复时间（典型值仅为4 ns），有效减少了开关过程中的能量损耗和电磁干扰（EMI）。这一特性对于工作频率高达数百MHz甚至GHz级别的射频电路至关重要，能够确保信号完整性并提升系统效率。
　　此外，该器件在轻载和中等负载条件下表现出优异的正向导通特性，最大正向压降仅为1.2 V（在100 mA时），远低于普通整流二极管的0.7 V以上压降叠加带来的总损耗。这种低VF特性不仅提高了电源转换效率，还降低了器件自身的发热，有助于延长电池寿命并简化热管理设计。结合其仅300 mA的最大平均电流能力，PUMX1G特别适用于低功率DC-DC转换器、同步整流辅助电路以及USB供电路径中的防倒灌保护。
　　PUMX1G的SOD323封装尺寸极小（典型尺寸约为1.7 mm x 1.25 mm x 0.95 mm），非常适合高密度PCB布局，尤其是在智能手机、可穿戴设备和平板电脑等对体积敏感的应用场景中。该封装采用铜合金引线框架，提供优良的导热和导电性能，同时具备出色的焊接可靠性。器件通过AEC-Q101认证的可能性较高，表明其具备汽车级应用潜力，可在严苛环境下稳定运行。此外，其宽泛的工作温度范围（-65°C至+150°C）确保了在极端气候条件或高温密闭环境下的长期稳定性。

PUMX1G广泛应用于需要高频响应和紧凑布局的电子系统中。典型用途包括便携式消费类电子产品中的电源管理单元，如手机、蓝牙耳机和智能手表中的低压整流与反向极性保护；在通信接口电路中作为ESD保护与信号钳位元件，用于USB、HDMI等高速数据线路的瞬态抑制；还可用于开关模式电源（SMPS）中的续流二极管或阻尼网络，尤其在轻载工况下发挥其低VF和快恢复的优势。此外，它也常见于汽车电子模块，例如车载信息娱乐系统、传感器供电电路和LED照明驱动中，提供可靠的电压隔离与能量回馈路径。在工业控制领域，PUMX1G可用于PLC输入输出模块的信号调理电路，以及各类低功率隔离电源的设计中。由于其高可靠性与环保特性，该器件同样适用于医疗设备、智能家居终端和物联网节点等对安全性和可持续性有严格要求的应用场景。

PMX1G