类型：双P沟道MOSFET
　　封装：DFN2020-6 (2x2mm)
　　通道数：2
　　漏源电压(VDSS)：-20V
　　栅源电压(VGS)：±8V
　　连续漏极电流(ID)：-1.9A（每通道）
　　脉冲漏极电流(ID,脉冲)：-4.5A
　　导通电阻(RDS(on))：30mΩ（@ VGS = -4.5V）；40mΩ（@ VGS = -2.5V）；50mΩ（@ VGS = -1.8V）
　　阈值电压(VGS(th))：-0.6V ~ -1.0V
　　输入电容(Ciss)：230pF（@ VDS=10V）
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　热阻结到外壳(RθJC)：约40°C/W
　　热阻结到环境(RθJA)：约125°C/W

PUMT1L的首要特性是其采用先进沟槽工艺制造的双P沟道MOSFET结构，这使得它在低电压驱动条件下仍能保持优异的导通性能。每个通道在-4.5V栅源电压下的导通电阻仅为30mΩ，在-2.5V时为40mΩ，而在更低的-1.8V逻辑电平下也能维持50mΩ的低阻状态，确保了与现代微控制器和低压逻辑电路的良好兼容性。这种低RDS(on)特性显著降低了导通损耗，提高了整体系统的能效，特别适用于电池供电设备以延长续航时间。
　　其次，PUMT1L具备快速开关响应能力，得益于其较低的输入电容（Ciss约为230pF）和输出电容（Coss约为150pF），能够实现高效的开关操作，减少开关过程中的能量损耗。这对于高频开关应用如DC-DC转换器或动态负载切换非常重要。同时，其阈值电压范围在-0.6V至-1.0V之间，保证了稳定的开启行为，并避免因温度漂移导致的误动作。
　　该器件还具有出色的热稳定性和可靠性。DFN2020-6封装不仅节省空间，而且通过底部散热焊盘有效传导热量，结合约40°C/W的结到外壳热阻，可在紧凑布局中实现良好的散热性能。工作结温可达+150°C，支持严苛环境下的长期运行。此外，PUMT1L内置一定程度的ESD保护，提升了器件在生产、装配和使用过程中的抗静电能力，降低损坏风险。
　　最后，PUMT1L的双通道独立设计允许用户灵活配置，可用于双路负载开关、电源路径选择或多路信号控制。两个通道电气隔离，互不干扰，便于电路设计。总体而言，PUMT1L以其小型化、高效能、低功耗和高可靠性，成为现代便携式电子产品中不可或缺的关键功率元件。

PUMT1L广泛应用于需要小型化和高能效的便携式电子设备中。其主要应用场景包括移动设备中的电源管理模块，例如智能手机和平板电脑内的副电源域或外设供电控制。由于其支持低电压逻辑驱动（如1.8V或3.3V），非常适合由微控制器GPIO直接控制，用作负载开关来启用或禁用特定功能模块（如Wi-Fi模组、摄像头传感器或背光驱动），从而实现精细化的功耗管理并延长电池寿命。
　　另一个重要应用是在电池供电系统中作为高端开关使用。PUMT1L的P沟道结构天然适合作为高端开关，能够在不改变接地路径的情况下切断主电源，常用于电池管理系统（BMS）、充电电路或电源多路复用器中。例如，在双电池切换或主备电源切换系统中，PUMT1L可实现无缝电源路径控制。
　　此外，该器件也适用于各类DC-DC转换器的同步整流或预稳压级开关，尤其是在低功率反激或降压拓扑中作为辅助开关元件。在工业和消费类物联网设备中，PUMT1L可用于传感器模块的上电控制，实现按需供电以降低待机功耗。
　　由于其DFN2020-6的小型封装，PUMT1L特别适合高密度PCB布局，常见于可穿戴设备（如智能手表、健康监测仪）和微型无线模块（如蓝牙LE、Zigbee节点）中。总之，凡是需要小尺寸、低静态功耗和高效电源切换的场合，PUMT1L都是一个理想的选择。

PUMH1L
　　BSS84LT1G
　　DMG2302UW-7
　　SI2301-ADJ-R