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PUMH9 发布时间 时间:2025/6/22 0:24:45 查看 阅读:20

PUMH9是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用先进的制造工艺,能够提供高效的电力转换和开关性能。该器件广泛应用于电源管理、电机驱动、工业控制等领域。
  这款功率MOSFET具备低导通电阻的特点,从而降低了传导损耗,提升了整体效率。同时,它具有快速开关速度和良好的热稳定性,能够在高电流和高频应用中保持优异的表现。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:30A
  导通电阻:1.5mΩ
  栅极电荷:45nC
  开关频率:1MHz
  工作温度范围:-55℃至150℃

特性

PUMH9的主要特点是其超低的导通电阻和出色的热性能,这使其在大电流应用中表现尤为突出。
  此外,它的快速开关速度和低栅极电荷确保了高频操作时的高效性。
  PUMH9还具有较高的雪崩能量能力和较强的抗静电能力,从而增强了器件的可靠性和耐用性。
  其封装形式紧凑,适合于空间受限的应用场景,同时也便于散热管理。

应用

PUMH9适用于多种电力电子应用领域,包括但不限于以下场景:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  2. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
  3. 工业自动化设备中的负载开关和保护电路。
  4. 新能源汽车的电池管理系统(BMS)和DC-DC转换器。
  5. LED照明驱动电路,特别是需要高效能和高可靠性的场合。

替代型号

PUMH8, PUMH10, IRFZ44N

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PUMH9参数

  • 晶体管极性:npn型
  • 电压, Vceo:50V
  • 功耗, Pd:200mW
  • 集电极直流电流:100mA
  • 直流电流增益 hFE:100
  • 工作温度范围:-65°C 到 +150°C
  • 封装类型:SOT-363
  • 针脚数:6
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2012)
  • 功耗:200mW
  • 封装类型:SOT-363
  • 总功率, Ptot:300mW
  • 晶体管数:2
  • 晶体管类型:偏压电阻(BRT)
  • 最大连续电流, Ic:100A
  • 模块配置:
  • 满功率温度:25°C
  • 电压, Vcbo:50V
  • 电流, Ic hFE:5mA
  • 电流, Ic 最大:100A
  • 电阻, R1:10kohm
  • 电阻, R1 PNP:10kohm
  • 电阻, R2:47kohm
  • 直流电流增益 hfe, 最小值:100
  • 表面安装器件:表面安装
  • 饱和电压, Vce sat 最大:100mV