时间：2025/9/14 12:03:22
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PUMH30,115 是由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的一款射频功率晶体管，主要用于高频率和高功率应用，如射频放大器、通信设备和工业控制系统。这款晶体管采用先进的LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）技术，具有高效率、高可靠性和高线性度的特点。
类型：射频功率晶体管
晶体管类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流：30 A
最大漏源电压：65 V
最大功率耗散：300 W
工作频率范围：1.8 GHz - 2.7 GHz
增益：24 dB
输出功率：60 W
封装类型：TO-247
工作温度范围：-65°C 至 +150°C
PUMH30,115 的一大特点是其卓越的射频性能，能够在高频段（1.8 GHz - 2.7 GHz）提供高输出功率和高效率。该器件采用先进的LDMOS技术，这使得它在高温和高功率条件下依然保持稳定的工作性能。此外，PUMH30,115 提供了出色的线性度，适用于需要高信号完整性的应用，如现代无线通信系统中的基站放大器。
该晶体管还具有良好的热稳定性，能够在恶劣的工作环境下运行。TO-247 封装形式不仅提供了良好的散热能力，还便于安装和集成到各种电路板设计中。此外，PUMH30,115 的输入和输出匹配电路已经经过优化，减少了外部组件的需求，简化了设计过程。
由于其高可靠性和优异的电气性能，PUMH30,115 常用于基站、无线基础设施、工业射频设备以及测试和测量设备中。它的高效率特性也有助于降低能耗，延长设备的使用寿命。
PUMH30,115 主要应用于无线通信系统中的射频功率放大器模块，特别是在蜂窝网络基站（如4G LTE和5G NR）中作为最终功率放大级。它也适用于广播发射机、雷达系统、工业加热设备、医疗射频设备以及测试与测量仪器等高功率射频应用。此外，该晶体管还可用于各种需要高效能射频放大的工业和商业设备中。
CGH40010F, MRFE6VP61K25H
