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PUMH20 发布时间 时间:2025/9/15 1:53:08 查看 阅读:14

PUMH20 是一款由 Vishay Semiconductors 生产的双刀双掷(DPDT)模拟开关芯片,采用先进的 CMOS 工艺制造。该器件适用于需要高隔离度和低导通电阻的应用场合。PUMH20 的设计使其能够在宽广的电源电压范围内工作,同时提供出色的开关性能和低功耗。该芯片广泛应用于通信设备、工业控制、测试测量仪器以及各种需要高性能模拟开关的系统中。

参数

类型:DPDT 模拟开关
  通道数:1
  电源电压范围:4.5V 至 13.2V
  导通电阻(RON):典型值 100Ω
  截止频率:300MHz
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装形式:TSSOP(16引脚)
  最大开关电流:±100mA
  隔离度:-75dB @ 1MHz
  串扰:-75dB @ 1MHz

特性

PUMH20 提供了两个独立的 DPDT 开关,允许用户同时控制两路信号的通断。这种结构非常适合用于切换信号路径或控制多个电路的连接状态。该芯片的 CMOS 架构确保了低功耗运行,使其在电池供电设备中也能表现出色。此外,PUMH20 具有优异的高频性能,可在高达 300MHz 的频率下保持良好的信号完整性。其高隔离度和低串扰特性使其非常适合射频和高速模拟信号应用。PUMH20 还具有宽电压工作范围,支持从 4.5V 到 13.2V 的电源供电,增加了设计的灵活性。芯片内部的逻辑控制接口兼容标准 CMOS/TTL 电平,简化了与微控制器或其他数字电路的连接。此外,PUMH20 的 TSSOP 封装形式使其适合高密度 PCB 设计,并提供良好的热管理和机械稳定性。

应用

PUMH20 主要用于需要高性能 DPDT 开关的应用中,如通信系统中的信号路由、工业自动化设备中的多路复用控制、测试仪器中的信号选择开关、音频/视频信号切换、射频前端模块中的天线切换、以及各种需要高隔离度和低失真模拟开关的电子系统。

替代型号

PUMH20ES, MAX4619, ADG419

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PUMH20参数

  • 晶体管极性:npn型
  • 电压, Vceo:50V
  • 功耗, Pd:200mW
  • 集电极直流电流:100mA
  • 直流电流增益 hFE:30
  • 工作温度范围:-65°C 到 +150°C
  • 封装类型:SOT-363
  • 针脚数:6
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2012)
  • 功耗:200mW
  • 封装类型:SOT-363
  • 总功率, Ptot:300mW
  • 晶体管数:2
  • 晶体管类型:偏压电阻(BRT)
  • 最大连续电流, Ic:100A
  • 模块配置:
  • 满功率温度:25°C
  • 电压, Vcbo:50V
  • 电流, Ic hFE:20mA
  • 电流, Ic 最大:100A
  • 电阻, R1:2.2kohm
  • 电阻, R1 PNP:2.2kohm
  • 电阻, R2:2.2kohm
  • 直流电流增益 hfe, 最小值:30
  • 表面安装器件:表面安装
  • 饱和电压, Vce sat 最大:150mV