PUMH17F 时间：2025/9/14 0:48:32 阅读：11

PUMH17F是一款由半导体制造商推出的高性能MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高功率和高频率应用。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制、负载开关等应用场景。PUMH17F通常采用TO-252（DPAK）或类似的小型表面贴装封装，适合高密度PCB布局。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：100V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：7A（@25℃）
　　导通电阻（RDS(on)）：0.22Ω（典型值，@VGS=10V）
　　功耗（PD）：60W
　　工作温度范围：-55℃至+150℃
　　封装类型：TO-252（DPAK）

特性

PUMH17F具有多个关键特性，使其在高性能电源系统中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了整体系统效率。其次，该器件支持高栅极电压（±20V），具有较强的抗电压尖峰能力，确保在恶劣环境中稳定运行。此外，PUMH17F的封装设计优化了散热性能，有助于在高电流条件下维持较低的结温。该器件还具备良好的抗雪崩能力，可承受瞬态过电压和过电流，提高系统可靠性。PUMH17F的开关速度快，适用于高频开关电路，从而减小外围电路的体积并提高响应速度。最后，该MOSFET的封装形式适合表面贴装工艺，便于自动化生产和高密度PCB设计。

应用

PUMH17F广泛应用于多种高功率和高频率的电子系统中。例如，在DC-DC转换器中，它可用作主开关，实现高效电压转换；在电机驱动电路中，PUMH17F可控制电机的启停和转速，适用于工业自动化和机器人系统；在电源管理系统中，该器件可用于负载开关、电池保护和电源分配；此外，它还可用于LED照明驱动、开关电源（SMPS）以及工业控制设备中的高侧或低侧开关应用。由于其良好的热稳定性和高频特性，PUMH17F也适用于要求严苛的车载电子系统和消费类电子产品。