时间：2025/9/14 18:08:42
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PUMH14,115 是由 NXP（恩智浦）半导体公司生产的一款高性能射频（RF）功率晶体管，主要用于中波和短波广播发射器中的高功率放大应用。该器件基于横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）技术制造，具有出色的线性度、高增益和高效率。PUMH14,115 专为连续波（CW）和脉冲操作设计，适用于各种广播和通信系统。
类型：射频功率晶体管
技术：LDMOS
最大漏极电流：50A
最大漏源电压：65V
最大工作频率：175MHz
输出功率：1400W
增益：24dB
封装类型：大功率金属封装
工作温度范围：-65°C 至 +150°C
热阻（结到壳）：0.15°C/W
阻抗匹配：50Ω输入/输出匹配
PUMH14,115 是一款专为高功率广播应用而设计的 LDMOS 射频功率晶体管。其高输出功率能力和优异的热管理性能使其适用于高要求的广播发射系统。该器件在175MHz频率下可提供高达1400W的连续波输出功率，具有良好的线性度和高效率，适用于AM、FM和数字广播发射器。其设计确保了在高温环境下仍能保持稳定的工作性能，同时具备较高的可靠性和较长的使用寿命。此外，PUMH14,115 内部已集成输入和输出匹配网络，减少了外围元件的需求，从而简化了电路设计并提高了整体系统的稳定性。
该晶体管采用了先进的封装技术，具有较低的热阻，确保在高功率操作下仍能维持良好的散热性能。此外，其高增益特性减少了前级放大器的负担，提升了整个发射系统的效率。PUMH14,115 还具备较高的抗失真能力，适用于需要高信号保真的广播和通信系统。其坚固的设计和高可靠性使其成为专业广播设备制造商的首选器件。
PUMH14,115 主要应用于中波和短波广播发射器中的射频功率放大器模块。它广泛用于AM、FM和数字音频广播（DAB）发射系统，以及专业通信设备中的高功率放大应用。此外，该器件也适用于工业和医疗射频设备中的高功率放大器部分，如射频加热和等离子体发生器。由于其高稳定性和可靠性，PUMH14,115 也常被用于应急通信系统、军事通信设备和高功率测试仪器。
PUMH14K-115，PUMH1200-115，PUMH1400-115
