时间：2025/9/15 1:06:11
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PUMH10,115 是由 Nexperia（安世半导体）生产的一款双极性高频晶体管（NPN型），常用于低噪声放大器、射频（RF）应用以及通用开关电路中。这款晶体管以其高增益、低噪声系数和良好的高频特性而闻名，适合在无线通信设备、射频模块以及工业控制系统中使用。PUMH10,115 采用 SOT23 封装，具备良好的热稳定性和可靠性，适用于表面贴装技术（SMT），非常适合高密度 PCB 设计。
类型: NPN 双极晶体管
最大集电极电流: 100 mA
最大集电极-发射极电压: 30 V
最大集电极-基极电压: 30 V
最大功耗: 300 mW
过渡频率: 100 MHz
直流电流增益（hFE）: 110-800（根据工作电流不同）
噪声系数: 1.5 dB（典型值）
工作温度范围: -55°C 至 +150°C
封装形式: SOT23
PUMH10,115 晶体管具备多项高性能特性，特别适用于高频和低噪声放大应用。其典型过渡频率（fT）达到 100 MHz，使其在射频放大器中表现出色。该器件的噪声系数典型值为 1.5 dB，非常适合用于前端低噪声放大器，有助于提高信号接收的灵敏度和清晰度。此外，其 hFE（直流电流增益）范围为 110 至 800，具有良好的电流放大能力，适应多种偏置和放大电路设计。该晶体管的最大集电极电流为 100 mA，最大集电极-发射极电压为 30 V，具备较高的电压和电流承受能力，适用于多种低功率放大和开关电路。PUMH10,115 采用 SOT23 表面贴装封装，热性能优良，适用于自动化生产和高密度 PCB 布局。此外，其工作温度范围宽，从 -55°C 到 +150°C，能够在各种恶劣环境条件下稳定运行。
PUMH10,115 主要用于低噪声放大器（LNA）、射频（RF）前置放大器、通用开关电路、音频放大器以及工业控制系统中的信号处理电路。该器件也广泛应用于无线通信设备、Wi-Fi 模块、蓝牙模块、传感器接口电路以及各种消费类电子产品中。由于其高频性能良好，PUMH10,115 常被用于射频接收器前端设计，以提升信号质量和系统性能。此外，该晶体管也适用于低功率 DC-DC 转换器和 LED 驱动电路。
BC847系列, 2N3904, 2N2222A, BFQ54
