PUMD9-Q 时间：2025/8/7 10:52:26 阅读：40

PUMD9-Q 是一款由 Diodes 公司（原 Zetex）生产的双通道 N 沟道增强型 MOSFET，采用小型 SOT23 封装，适用于低电压和中等功率应用。该器件广泛用于电源管理、负载开关、电机控制以及逻辑电路中的开关元件。由于其高效率和紧凑的封装，PUMD9-Q 特别适合空间受限的便携式设备应用。

参数

类型：MOSFET（N 沟道）
　　配置：双通道
　　漏源电压（VDS）：20V
　　栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：100mA（每个通道）
　　功耗（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT23

特性

PUMD9-Q MOSFET 具备低导通电阻（RDS(on)）特性，有助于减少导通损耗并提高能效。在 4.5V 的栅极驱动电压下，其导通电阻通常低于 3Ω，使其适用于低电压操作的应用场景。
　　此外，该器件的栅极电荷（Qg）较低，有助于提高开关速度并减少开关损耗，适用于中高频开关应用。其 SOT23 封装形式不仅体积小巧，而且具备良好的热性能，便于在高密度 PCB 设计中使用。
　　PUMD9-Q 的栅极具有±12V的耐压能力，允许在较宽的控制电压范围内工作，提高了与不同控制电路的兼容性。同时，该器件具备良好的温度稳定性，在高温环境下仍能保持稳定的电气性能。
　　作为双通道MOSFET，PUMD9-Q允许两个独立的开关通道在同一个封装中工作，从而节省PCB空间并减少元件数量，特别适用于需要多个小型开关的应用场景。

应用

PUMD9-Q 主要应用于便携式电子设备中的电源管理模块，例如智能手机、平板电脑和穿戴设备中的负载开关或DC-DC转换器。其低功耗和小型封装特性也使其非常适合用于传感器电路、LED驱动电路、小型电机控制和逻辑电路中的开关元件。
　　在工业控制领域，PUMD9-Q 可用于低功耗继电器替代方案、小型执行器控制以及嵌入式系统的电源管理。此外，它也可用于电池供电设备中的节能控制电路，帮助延长电池使用寿命。
　　在汽车电子应用中，PUMD9-Q 可用于车载传感器模块、小型风扇控制、LED照明系统等对空间和功耗有严格要求的场合。