时间：2025/9/14 16:19:57
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PUMD17,115 是由 Nexperia（安世半导体）生产的一款双通道 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用小型无引脚封装（TSON）。该器件适用于高密度电源设计，具有低导通电阻、高功率效率和良好的热性能，适用于电源管理、电池供电设备、DC-DC 转换器和负载开关等应用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：20V
栅源电压（Vgs）：±8V
连续漏极电流（Id）：4.7A（@25°C）
导通电阻（Rds(on)）：最大 15mΩ（@Vgs=4.5V）
封装形式：TSON（无引脚表面贴装）
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
PUMD17,115 的主要特性之一是其低导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通损耗并提高系统效率。该器件的双通道结构使其非常适合用于同步整流、负载开关或 H 桥电路。此外，该 MOSFET 具有优异的热性能，能够在高电流负载下保持稳定运行，从而提高系统的可靠性。
另一个显著特点是其封装形式采用了 TSON 封装技术，这种无引脚封装不仅减小了 PCB 占用面积，还提高了散热效率。TSON 封装也更适合自动化装配，提升生产效率。
该器件的栅极驱动电压范围较宽（通常为 1.8V 到 8V），允许与多种控制 IC 和驱动器兼容。这使得 PUMD17,115 可广泛用于多种电源管理系统中，特别是在需要低电压操作的应用中表现出色。
此外，PUMD17,115 在制造过程中采用了 Nexperia 的先进工艺技术，确保了器件在高频率和高负载条件下的稳定性和耐用性。这使得它特别适合用于现代便携式电子设备和高效能电源转换系统。
PUMD17,115 广泛应用于便携式电子产品（如智能手机、平板电脑和笔记本电脑）中的电源管理模块。它也常用于 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关和电机驱动电路中。此外，该器件适用于工业控制系统、电源适配器以及需要高效能、小尺寸功率 MOSFET 的各种应用场合。
PUMD17,115 的替代型号包括 PSMN17, PUMD3,115 和 PMMD17。这些型号在电气特性和封装尺寸上具有相似性，可以在设计中作为替代选择。具体选用时应参考各自的数据手册以确保符合设计要求。
