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PUMB19,115 发布时间 时间:2025/9/14 11:43:33 查看 阅读:17

PUMB19,115 是由 Nexperia(安世半导体)生产的一款双极性晶体管阵列芯片,属于 NPN 和 PNP 类型的组合器件。该器件通常用于需要多个晶体管配合工作的电路中,例如数字逻辑控制、功率开关、放大电路等。PUMB19,115 采用 TSSOP(薄型小尺寸封装)封装,适用于表面贴装技术(SMT),适合高密度 PCB 设计。

参数

类型:双极性晶体管阵列
  晶体管类型:NPN + PNP
  集电极-发射极电压(VCEO):100V(NPN) / 100V(PNP)
  最大集电极电流(IC):100mA(NPN) / 100mA(PNP)
  功耗(PD):300mW
  封装类型:TSSOP
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C

特性

PUMB19,115 是一款高集成度的双极性晶体管组合器件,具有优异的热稳定性和电气性能。
  其主要特性包括:
  1. **集成双晶体管设计**:PUMB19,115 内部集成了一个 NPN 晶体管和一个 PNP 晶体管,能够实现互补型电路设计,例如推挽放大器或数字逻辑门电路。这种集成方式不仅减少了 PCB 上的元件数量,还提高了电路的可靠性。
  2. **高电压耐受能力**:NPN 和 PNP 晶体管的集电极-发射极击穿电压(VCEO)均达到 100V,使其适用于中高压控制电路。例如,在继电器驱动、电机控制、DC-DC 转换等场景中,可以提供良好的开关性能。
  3. **低饱和压降**:晶体管在导通状态下的饱和压降较低,有助于减少功率损耗,提高能效,适合电池供电设备和低功耗系统。
  4. **温度稳定性强**:该器件的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C,适应于工业级和汽车电子应用环境,具有良好的热稳定性和长期可靠性。
  5. **小型化封装**:采用 TSSOP 封装形式,尺寸小巧,适合高密度 PCB 布局,支持自动化贴片工艺,提升生产效率。
  6. **ESD 保护能力强**:内置静电放电(ESD)保护机制,提高了器件在复杂电磁环境中的稳定性,降低了损坏风险。

应用

PUMB19,115 因其高性能和紧凑封装,广泛应用于以下领域:
  1. **数字逻辑控制电路**:由于其集成 NPN 和 PNP 晶体管结构,适合用于构建数字开关、电平转换器和逻辑门电路。
  2. **电源管理**:在 DC-DC 转换器、稳压器、电池充电管理等电源相关电路中,作为开关元件使用。
  3. **工业自动化**:用于 PLC(可编程逻辑控制器)、继电器驱动、电机控制模块等工业控制设备中,提供可靠的开关和放大功能。
  4. **汽车电子**:适用于车载电源管理、传感器接口、照明控制等对可靠性和温度耐受性要求较高的汽车电子系统。
  5. **消费类电子产品**:如智能手机、平板电脑、智能穿戴设备等便携式电子产品中的信号放大、电源控制和接口驱动电路。
  6. **通信设备**:用于通信模块中的信号放大、电平转换及功率控制电路。

替代型号

PUMD19,115 / PUMH19,115 / PMBT2369,115 / PMBT3904,115 / BC847B,115

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PUMB19,115参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型2 个 PNP 预偏压式(双)
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)22k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)100 @ 1mA,5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)150mV @ 500µA,10mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)1µA
  • 频率 - 转换-
  • 功率 - 最大300mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商设备封装6-TSSOP
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称934058907115PUMB19 T/RPUMB19 T/R-ND