时间：2025/9/14 15:12:11
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PUMB18,115是一款由NXP Semiconductors生产的双N沟道增强型功率MOSFET，采用TSON封装。该器件专为需要高效能和低导通电阻的应用而设计，适用于负载开关、电源管理及DC-DC转换器等场景。PUMB18,115的双MOSFET结构允许其在高电流应用中提供出色的性能，同时保持较低的功耗。
类型：双N沟道MOSFET
最大漏极电流：3.5A（单个通道）
最大漏源电压：20V
导通电阻（RDS(on)）：18mΩ（最大）
栅极电荷：3.5nC
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：TSON
PUMB18,115具有低导通电阻，确保在高电流应用中最小的功率损耗，同时其双通道设计使得在需要多个MOSFET的电路中可以节省PCB空间。此外，该器件的栅极电荷较低，有助于实现快速开关操作，从而减少开关损耗并提高整体效率。PUMB18,115的TSON封装提供了良好的热性能，确保在高负载条件下依然能够保持稳定工作。此外，其宽广的工作温度范围使其适用于各种恶劣环境下的应用。
PUMB18,115广泛应用于负载开关、电源管理系统、DC-DC转换器、电池供电设备、便携式电子产品及汽车电子系统等。其低导通电阻和高效率特性使其成为需要高性能功率管理的理想选择。
Si3440BDV-T1-GE3
FDC640P
