型号：PUDP-30V-TR
　　制造商：Panjit International Inc.
　　器件类型：双通道共阴极肖特基二极管
　　封装类型：SOD-323
　　反向重复峰值电压 VRRM：30V
　　正向连续电流 IF(AV)：300mA
　　峰值脉冲电流 IFSM：800mA
　　正向压降 VF：最大0.45V（在IF=1mA时）
　　反向漏电流 IR：最大10μA（在VR=30V, TA=25°C）
　　反向恢复时间 trr：典型值 <1ns
　　工作结温范围：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C

PUDP-30V-TR的核心特性之一是其采用的肖特基势垒技术，这种结构利用金属-半导体接触形成势垒，而非传统的PN结，从而实现了非常低的正向导通电压和几乎可以忽略不计的反向恢复电荷。这一特点使得它在高频开关应用中表现出远优于普通硅二极管的性能。由于没有少子存储效应，肖特基二极管在从导通状态切换到截止状态时不会产生明显的反向恢复电流尖峰，这对降低电磁干扰（EMI）和提高电源转换效率至关重要。尤其在DC-DC升压或降压电路中，作为续流二极管使用时，PUDP-30V-TR能够显著减少开关损耗，提升系统的整体能效表现。
　　另一个关键特性是其共阴极双二极管结构，这种设计允许两个独立的阳极共享一个公共阴极端子，非常适合用于双路信号整流或输入/输出端口的双向电压钳位保护。例如，在USB接口或音频线路中，它可以同时处理正负方向的瞬态过压事件，起到有效的ESD防护作用。此外，该结构也常用于构建简单的倍压整流电路或逻辑电平移位网络。
　　该器件的小型SOD-323封装不仅节省PCB空间，还支持自动化贴片生产，适用于高密度组装工艺。尽管体积微小，但其热阻特性经过优化，能够在有限的散热条件下维持可靠运行。结合其高达125°C的最大工作结温，PUDP-30V-TR可在高温环境下长时间服役而不发生性能退化。此外，其低漏电流特性（典型值小于10μA @ 30V）确保了在待机或低功耗模式下不会造成显著的能量浪费，这对于依赖电池供电的移动设备尤为重要。
　　Panjin PUDP-30V-TR还具备良好的抗湿性和机械稳定性，符合JEDEC标准的可靠性测试要求，包括高温高湿偏置试验（H3TRB）和温度循环测试。这些品质保障措施使其能够在复杂多变的实际应用场景中保持长期稳定的工作性能。

PUDP-30V-TR广泛应用于各类需要高效、小型化整流与保护功能的电子系统中。在便携式消费电子产品领域，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，它常被用作电源路径管理中的防倒灌二极管或电池充放电回路中的隔离元件。其低正向压降特性有助于延长电池续航时间，而快速响应能力则能有效防止电压反冲对敏感IC造成损害。
　　在通信模块方面，该器件可用于RF前端电路中的信号检波或功率检测环节，凭借其优异的高频响应特性实现精确的信号解调。同时，在高速数据接口（如I2C、UART、SPI总线）中，PUDP-30V-TR可作为上拉/下拉线路的瞬态电压抑制器，提供高达±15kV的人体模型ESD保护，防止静电放电导致芯片损坏。
　　在电源管理单元中，尤其是在非同步DC-DC转换器中，PUDP-30V-TR常用作续流二极管，替代传统快恢复二极管以提升转换效率。虽然其反向耐压仅为30V，限制了其在高压系统中的应用，但在5V、12V或24V系统中仍具有很高的适用性。此外，它也可用于太阳能充电控制器、LED驱动电路和小型逆变器中的整流桥臂组成部分。
　　工业控制和汽车电子中的传感器信号调理电路也会采用此类器件进行信号整流与噪声抑制。由于其宽温工作能力和高可靠性，PUDP-30V-TR也能胜任车载信息娱乐系统、GPS模块和远程无钥匙进入系统中的保护任务。总之，凡是需要低VF、高速度和小尺寸二极管的地方，PUDP-30V-TR都是一个极具竞争力的选择。

SS12C-TP
　　SK13
　　BAT54C
　　RB751S-30