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PUDP-22V-K 发布时间 时间:2025/12/27 16:42:29 查看 阅读:14

PUDP-22V-K是一款由Power Integrations公司生产的集成式离线式开关IC,主要用于反激式变换器拓扑结构的电源设计中。该芯片属于InnoSwitch3系列,专为高效率、高功率密度的电源适配器、充电器和工业电源等应用而设计。PUDP-22V-K内部集成了高压功率MOSFET(或类似开关器件)以及次级侧同步整流控制器,并采用PowiGaN技术,即基于氮化镓(GaN)的开关晶体管,从而实现更高的开关频率、更低的导通损耗和更高的整体能效。该器件还内置了多重保护机制,如过载保护、过压保护、过温保护和输出短路保护,确保系统在各种异常条件下仍能安全运行。得益于其高度集成的设计,PUDP-22V-K能够显著减少外围元器件数量,简化电源设计流程,缩短产品开发周期,并提高系统的可靠性。

参数

产品系列:InnoSwitch3-Pro
  封装类型:InSOP-24D
  输入电压范围:典型离线输入(85-265 VAC)
  输出驱动能力:可调光LED驱动或恒压/恒流电源控制
  控制器类型:初级侧感知准谐振反激控制器
  集成开关器件:采用PowiGaN技术的高压GaNFET
  开关频率:自适应,通常在30 kHz至100 kHz之间动态调节
  工作温度范围:-40°C 至 +150°C(结温)
  散热封装:底部带裸露焊盘的表面贴装型封装,支持高效散热
  反馈机制:通过外接光耦实现精确的次级侧反馈控制
  控制模式:准谐振(QR)与CCM/DCM混合模式运行
  集成保护功能:过温保护(OTP)、过压保护(OVP)、过流保护(OCP)、输出短路保护(SCP)
  通信接口:支持数字接口用于动态设定输出电压和电流(InnoSwitch3-Pro特性)

特性

PUDP-22V-K的核心优势之一是采用了Power Integrations独有的PowiGaN技术,这项技术将氮化镓(GaN)功率开关集成到控制器IC中,相比传统的硅基MOSFET,GaN器件具有更低的导通电阻和更快的开关速度,从而大幅降低开关损耗和传导损耗。这使得电源设计可以在更高的频率下运行,进而减小变压器和滤波元件的体积,提升整体功率密度。此外,由于效率提升,散热需求降低,有助于实现无散热片的小型化设计。
  该芯片支持精确的恒压(CV)和恒流(CC)输出调节,适用于对输出精度要求较高的应用场景,例如笔记本电脑适配器、电动工具充电器和工业传感器供电单元。其数字控制接口允许通过I2C或类似协议进行动态调整输出参数,实现智能电源管理功能。这种灵活性使其在需要可编程输出特性的高端应用中表现出色。
  InnoSwitch3-Pro系列具备初级侧检测技术和次级侧同步整流控制的结合,能够在无需传统TL431基准电压源的情况下实现±3%以内的输出电压精度。同时,芯片内置的 FluxLink? 磁感通信技术实现了初级与次级之间的安全隔离通信,提高了系统的可靠性和抗干扰能力。整个芯片符合全球能效标准,包括DoE Level VI和EU CoC v5 Tier 2,满足现代绿色能源的要求。
  PUDP-22V-K还具备强大的故障诊断和自动恢复功能,在发生过载或短路时能够进入打嗝模式,限制能量输出并尝试重启,保障负载和电源本身的安全。其高集成度减少了外部元件数量,降低了BOM成本,并提升了长期工作的稳定性。

应用

PUDP-22V-K广泛应用于多种高性能电源系统中,尤其适合那些对效率、尺寸和可靠性有严格要求的应用场景。典型应用包括大功率USB PD适配器(如65W及以上笔记本充电器),这类设备需要支持宽范围输出电压(如5V、9V、15V、20V)并兼容PD协议。该芯片也常用于工业自动化设备中的辅助电源模块,提供稳定可靠的直流供电。
  在医疗设备领域,由于其具备高隔离耐压能力和多重安全保护机制,PUDP-22V-K可用于符合医疗安规认证(如IEC 60601)的电源设计中。此外,它还可用于电信设备、网络路由器和交换机的板载电源系统,支持持续运行和高效散热需求。
  由于支持数字接口配置输出参数,该芯片也适用于需要远程监控或动态调节输出电压/电流的智能电源系统,例如数据中心服务器电源、测试测量仪器和可编程直流电源模块。其高效率和低待机功耗特性也使其成为智能家居网关、AI音箱等消费类电子产品理想的选择。
  另外,PUDP-22V-K也可用于户外LED照明驱动电源,特别是在需要长距离传输且对电压稳定性要求高的场合。凭借其出色的动态响应能力和良好的负载调整率,即使在电网波动较大的环境中也能保持稳定的输出性能。

替代型号

INN3370C

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